Harri Lipsanen

Professori

Tutkimustuotokset

  1. 2007
  2. Julkaistu

    Enhanced luminescence from catalyst-free grown InP nanowires

    Mattila, M., Hakkarainen, T., Lipsanen, H., Jiang, H. & Kauppinen, E., 2007, julkaisussa : Applied Physics Letters. 90, 3, s. 1-3 3 Sivumäärä, 033101.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    Fitness function and nonunique solutions in x-ray reflectivity curve fitting: crosserror between surface roughness and mass density

    Tiilikainen, J., Bosund, V., Mattila, M., Hakkarainen, T., Sormunen, J. & Lipsanen, H., 2007, julkaisussa : Journal of Physics D: Applied Physics. 40, 14, s. 4259-4263 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  4. Julkaistu

    In-situ determination of InGaAs and GaAsN composition in multi-quantum-well structures

    Reentilä, O., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2007, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 101, 3, s. 1-5 5 Sivumäärä, 033533.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    Nine-fold photoluminescence enhancement using photonic crystals with graphite lattice

    Mulot, M., Sihvonen, O., Raineri, F., Sagnes, I., Vecchi, G., Raj, R. & Lipsanen, H., 2007, 2007 IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. IEEE, s. 201-202 2 Sivumäärä 4265914. (CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  6. Julkaistu

    Noncovalent attachment of pyro-Pheophorbide a to a carbon nanotube

    Kavakka, J. S., Heikkinen, S., Kilpeläinen, I., Mattila, M., Lipsanen, H. & Helaja, J., 2007, julkaisussa : Chemical Communications. 5, s. 519-521 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  7. Julkaistu

    Reduction of threading dislocation density in A1_(0.12)Ga_(0.88)N epilayers by a multistep technique

    Lang, T., Odnoblydov, M., Bougrov, V., Suihkonen, S., Svensk, O., Törmä, P., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 298, s. 276-280

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    Self-catalyzed growth and properties of InP nanowires

    Mattila, M., Hakkarainen, T., Lipsanen, H., Jiang, H. & Kauppinen, E., 2007, (12th European workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Bratislava, Slovakia, 3.-6-6-2007).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  9. Julkaistu

    Slow light propagation in photonic crystal waveguides with ring-shaped holes

    Mulot, M., Säynätjoki, A., Arpiainen, S., Ahopelto, J. & Lipsanen, H., 2007, julkaisussa : Journal of Optics A: Pure and Applied Optics. 9, 9, s. S415-S418 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  10. Julkaistu

    Tensile-strained GaAsN quantum dots on InP

    Pohjola, P., Hakkarainen, T., Koskenvaara, H., Sopanen, M., Lipsanen, H. & Sainio, J., 2007, julkaisussa : Applied Physics Letters. 90, 17, s. 1-3 3 Sivumäärä, 172110.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  11. Julkaistu

    The effect of InGaN/GaN MQW hydrogen treatment and threading dislocation optimization of GaN LED efficiency

    Suihkonen, S., Svensk, O., Lang, T., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M. & Bougrov, V., 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 298, s. 740-743

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  12. 2006
  13. Julkaistu

    Nonlinear fitness–space–structure adaptation and principal component analysis in genetic algorithms: an application to x-ray reflectivity analysis

    Tiilikainen, J., Tilli, J-M., Bosund, V., Mattila, M., Hakkarainen, T., Airaksinen, V-M. & Lipsanen, H., 15 joulukuuta 2006, julkaisussa : Journal of Physics D: Applied Physics. 40, 1, s. 215-218 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  14. Julkaistu

    Multistep method for threading dislocation density reduction in MOCVD grown GaN epilayers

    Lang, T., Odnoblyudov, M., Bougrov, V., Romanov, A. E., Suihkonen, S., Sopanen, M. & Lipsanen, H., elokuuta 2006, julkaisussa : PHYSICA STATUS SOLIDI A: APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 203, 10, s. R76-R78 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  15. Julkaistu

    Experimental investigation towards a periodically pumped single-photon source

    Bödefeld, C., Ebbecke, J., Toivonen, J., Sopanen, M., Lipsanen, H. & Wixforth, A., 15 heinäkuuta 2006, julkaisussa : Physical Review B. 74, 3, s. 1-5 5 Sivumäärä, 035407.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  16. Julkaistu

    Ge/GaAs heterostructure matrix detector

    Kostamo, P., Säynätjoki, A., Knuuttila, L., Lipsanen, H., Andersson, H. & Banzuzi, K., 1 heinäkuuta 2006, julkaisussa : NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A: ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. 563, 1, s. 17-20 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  17. Julkaistu

    InAs pixel matrix detector structures fabricated by diffusion of Zn utilising metal-organic vapour phase epitaxy

    Säynätjoki, A., Kostamo, P., Sormunen, J., Riikonen, J., Lankinen, A., Lipsanen, H., Andersson, H., Banzuzi, K., Nenonen, S., Sipilä, H. & Vaijärvi, S., 1 heinäkuuta 2006, julkaisussa : NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A: ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. 563, 1, s. 24-26 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  18. Julkaistu

    Synchrotron x-ray topography study of defects in epitaxial GaAs on high-quality Ge

    Lankinen, A., Knuuttila, L., Tuomi, T., Kostamo, P., Säynätjoki, A., Riikonen, J., Lipsanen, H., McNally, P. J., Lu, X., Sipilä, H., Vaijärvi, S. & Lumb, D., 1 heinäkuuta 2006, julkaisussa : NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A: ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. 563, 1, s. 62-65 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  19. Julkaistu

    Morphology optimization of MOCVD-grown GaN nucleation layers by the multistep technique

    Lang, T., Odnoblyudov, M., Bougrov, V., Suihkonen, S., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 15 kesäkuuta 2006, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 292, 1, s. 26-32 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  20. Julkaistu

    Nitrogen content of GaAsN quantum wells by in-situ monitoring during MOVPE growth

    Reentilä, O., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 1 toukokuuta 2006, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 290, 2, s. 345-349 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  21. Julkaistu

    Carrier dynamics in strain-induced InGaAsP/InP quantum dots

    Koskenvaara, H., Riikonen, J., Sormunen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., toukokuuta 2006, julkaisussa : PHYSICA E: LOW: DIMENSIONAL SYSTEMS AND NANOSTRUCTURES. 32, 1-2, s. 179-182 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  22. Julkaistu

    Metal contacts on InN: Proposal for Schottky contact

    Rangel-Kuoppa, V. T., Suihkonen, S., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 10 tammikuuta 2006, julkaisussa : Japanese Journal of Applied Physics. 45, 1A, s. 36-39 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  23. Julkaistu

    Catalyst-free growth of In(As)P nanowires on silicon

    Mattila, M., Hakkarainen, T., Lipsanen, H., Jiang, H. & Kauppinen, E., 2006, julkaisussa : Applied Physics Letters. 89, 6, s. 1-3 3 Sivumäärä, 063119.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  24. Julkaistu

    Characterization of photonic crystal waveguides using Fabry-Pérot resonances

    Säynätjoki, A., Mulot, M., Arpiainen, S., Ahopelto, J. & Lipsanen, H., 2006, julkaisussa : Journal of Optics A: Pure and Applied Optics. 8, 7, s. S502-S506 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  25. Julkaistu

    Comparison of epitaxial thin layer GaN and InP passivations on InGaAs near-surface quantum wells

    Aierken, A., Riikonen, J., Sormunen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2006, julkaisussa : Applied Physics Letters. 88, 22, s. 1-3 3 Sivumäärä, 221112.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  26. Julkaistu

    Comparison of Ge and GaAs substrates for metalorganic vapor phase epitaxy of GaIn(N)As quantum wells

    Knuuttila, L., Reentila, O., Mattila, M. & Lipsanen, H., 2006, julkaisussa : Japanese Journal of Applied Physics. 44, 46-49, s. L1475-L1477 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  27. Julkaistu

    Crystal-structure-dependent photoluminescence from InP nanowires

    Mattila, M., Hakkarainen, T., Mulot, M. & Lipsanen, H., 2006, julkaisussa : Nanotechnology. 17, 6, s. 1580-1583 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  28. Julkaistu

    Effect of surface states on carrier dynamics in InGaAsP/InP stressor quantum dots

    Riikonen, J., Sormunen, J., Koskenvaara, H., Mattila, M., Aierken, A., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2006, julkaisussa : Nanotechnology. 17, 9, s. 2181-2186 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  29. Julkaistu

    Hydrogen treatment of InGaN/GaN MQW structures

    Suihkonen, S., Svensk, O., Lang, T., Törmä, P., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M. A. & Bougrov, V. E., 2006, (ISGN Symposium, Linköping, Ruotsi, 2006).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  30. Julkaistu

    Inductively coupled plasma etching of III-nitride based laser structure using CI2/BCI3/Ar gasses

    Törmä, P., Svensk, O., Suihkonen, S., Lipsanen, H., Odnoblyudov, V. E. & Bougrov, V. E., 2006, (WBSQ Symposium, Ascona, Sveitsi, 2006).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  31. Julkaistu

    In-situ composition determination of MOVPE grown InGaAsN quantum wells

    Reentilä, O., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2006, (3rd Workshop of Metastable Compound Semiconductor Systems and Heterostructures, Marburg, Saksa, 18-20.12.2006).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  32. Julkaistu

    In-situ determination of nitrogen content in InGaAsN quantum wells

    Reentilä, O., Mattila, M., Knuuttila, L., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2006, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 100, 1, s. 1-4 4 Sivumäärä, 013509.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  33. Julkaistu

    In-situ reflectance monitoring of InGaAsN quantum well growth with H_2 and N_2 as carrier gases

    Reentilä, O., Mattila, M., Knuuttila, L., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2006, (13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, Japani, 22-26.5.2006).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  34. Julkaistu

    In situ reflectance monitoring of thick GaAsN layers

    Reentilä, O., Lankinen, A., Säynätjoki, A., Mattila, M., Tuomi, T., Lipsanen, H., "O'Reilly", L. & McNally, P. J., 2006, The 6th International Conference on Materials for Microelectronics & Nanoengineering MFMN, 27-29.10.2006, Cranfield, UK. s. 29-32

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  35. Julkaistu

    Magnesium doping of group-III nitrides for LED- and laser structures

    Svensk, O., Suihkonen, S., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M. A. & Bougrov, V. E., 2006, (IC MOVPE XIII, Miyazaki, Japani, 2006).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  36. Julkaistu

    Reduction of threading dislocation density in AlGaN epilayers by a multistep technique

    Lang, T., Odnoblyudov, M., Bougrov, V., Suihkonen, S., Svensk, O., Törmä, P. & Lipsanen, H., 2006, (IC MOVPE XIII, Miyazaki, Japani, 2006).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  37. Julkaistu

    Simultaneous determinationof indium and nitrogen contents of InGaAsN quantum wells by optical in-situ monitoring

    Reentilä, O., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2006, julkaisussa : Applied Physics Letters. 89, 23, s. 1-3 3 Sivumäärä, 231919.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  38. Julkaistu

    The effect of InGaN/GaN MQW hydrogen treatment and threading dislocation optimisation on GaN LED performance

    Suihkonen, S., Svensk, O., Lang, T., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M. A. & Bougrov, V. E., 2006, (IC MOVPE XIII, Miyazaki, Japani, 2006).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  39. Julkaistu

    Topography imaging of defects in GaAs on Ge

    Lankinen, A., Tuomi, T., Knuuttila, L., Kostamo, P., Säynätjoki, A., Lipsanen, H., McNally, P. J. & lu, X., 2006, HASYLAB Annual report 2005, Part I. Hampuri, Saksa: HASYLAB, s. 561-562

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  40. 2005
  41. Julkaistu

    Low temperature growth GaAs on Ge

    Knuuttila, L., Lankinen, A., Likonen, J., Lipsanen, H., Lu, X., McNally, P., Riikonen, J. & Tuomi, T., 9 marraskuuta 2005, julkaisussa : Japanese Journal of Applied Physics. 44, 11, s. 7777-7784 8 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  42. Julkaistu

    Synchrotron x-ray topographic study of dislocations and stacking faults in InAs

    Lankinen, A., Tuomi, T., Riikonen, J., Knuuttila, L., Lipsanen, H., Sopanen, M., Danilewsky, A., McNally, J., "O'Reilly", L., Zhilyaev, Y., Fedorov, L., Sipilä, H., Vaijärvi, S., Simon, R., Lumb, D. & Owens, A., 1 lokakuuta 2005, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 283, 3-4, s. 320-327 8 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  43. Julkaistu

    Synchrotron x-ray topography study of defects in indium antimonide p-i-n structures grown by metal organic vapour phase epitaxy

    Riikonen, J., Tuomi, T., Lankinen, A., Sormunen, J., Säynätjoki, A., Knuuttila, L., Lipsanen, H., McNally, P. J., Danilewsky, A., Sipilä, H., Vaijärvi, S., Lumb, D. & Owens, A., heinäkuuta 2005, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 16, 7, s. 449-453 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  44. Julkaistu

    Characterization of photonic crystal waveguides fabricated in silicon-on-insulator

    Säynätjoki, A., Mulot, M., Arpiainen, S., Ahopelto, J. & Lipsanen, H., 2005, (Proceedings of the Finnish Optic Days, Jyväskylä Finland, 12-13 May).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  45. Julkaistu

    Characterization of photonic crystal waveguides using Fabry-Perot resonances

    Säynätjoki, A., Mulot, M., Arpiainen, S., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 2005, (Optical Microsystems 2005, Capri, Italy, September 15-18).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  46. Julkaistu

    Evolution of Self-Assembled InAs/InP Islands into Quantum Rings

    Sormunen, J., Riikonen, J., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2005, julkaisussa : Japanese Journal of Applied Physics. 44, 42-45, s. L1323-L1325 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  47. Julkaistu

    Ge/GaAs heterostructures matrix detector

    Kostamo, P., Säynätjoki, A., Knuuttila, L., Lipsanen, H., Andersson, H. & Banzuzi, K., 2005, IWORID, Grenoble France, 4-7 July.

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  48. Julkaistu

    High-index-contrast Optical Waveguides on Silicon

    Säynätjoki, A., Arpiainen, S., Ahopelto, J. & Lipsanen, H., 2005, Physics of Semiconductors, Parts A and B. Menendez, J. & VandeWalle, CG. (toim.). AIP, s. 1537-1538 2 Sivumäärä (AIP Conference Proceedings ; painos 772).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  49. Julkaistu

    Highly Tunable Emission from Strain-Induced InGasp/InP Quantum Dots

    Riikonen, J., Sormunen, J., Koskenvaara, H., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2005, julkaisussa : Japanese Journal of Applied Physics. 44, 28-32, s. L976-L978 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  50. Julkaistu

    InAs pixel matrix detector structures fabricated by diffusion of Zn utilising metal-organic vapour phase epitaxy

    Säynätjoki, A., Kostamo, P., Sormunen, J., Riikonen, J., Lankinen, A., Lipsanen, H., Andersson, H., Banzuzi, K., Nenonen, S., Sipilä, H. & Vaijärvi, S., 2005, (The International Workshop on Radiation Imaging Detectors, Grenoble, France, 4-7 July).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  51. Julkaistu

    InGaAs/InP quantum dots induced by self-organized InAs stressors-islands

    Riikonen, J., Sormunen, J., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2005, julkaisussa : Japanese Journal of Applied Physics. 44, 16-19, s. L518-L520 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  52. Julkaistu

    Low air-fill-factor photonic crystals with ring-shaped holes in a triangular lattice

    Mulot, M., Säynätjoki, A., Arpiainen, S., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 2005, (COST action P11 Workshop, Twente, The Netherlands, October 2-4).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  53. Julkaistu

    Low Tempereture Growth GaAs on Ge

    Knuuttila, L., Lankinen, A., Likonen, J., Lipsanen, H., Lu, X., McNally, P., Riikonen, J. & Tuomi, T., 2005, julkaisussa : Japanese Journal of Applied Physics. 44, 11, s. 7777-7788

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

ID: 53661