Harri Lipsanen

Professori

Tutkimustuotokset

  1. 1992
  2. Julkaistu

    Accurate determination of the layer thicknesses of a GaAs/AlAs superlattice

    Lipsanen, H. K., Airaksinen, V-M. & Tuomi, T., 1992, 1st European Symposium on X-ray Topography and High Resolution Diffraction, Marseille, France, July 9-10, 1992. s. 107-108

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    High Speed InGaAsP/InP multiple quantum well laser

    Lipsanen, H. K., Coblenz, D. L., Logan, R. A., Yadvish, R. D., Morton, P. A. & Temkin, H., 1992, Espoo, s. 17-20, (Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology; nro TKK-F-C139).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  4. Julkaistu

    Liquid phase epitaxial (LPE) technique

    Lipsanen, H., Sopanen, M., Hjelt, K., Koljonen, T., Prieur, E., Tuominen, M., Yli-Juuti, E., Kokkinen, H. & Tuomi, T., 1992, Espoo, s. 21-23, (Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology; nro TKK-F-C139).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  5. Julkaistu

    Optical detection of electric fields in GaAs structures

    Airaksinen, V. M. & Lipsanen, H. K., 1992, The 15th Nordic Semiconductor Meeting, Helsinki, Finland, 1992. s. 341-344

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  6. Julkaistu

    Photoluminescence spectra of InGaAsP doped with praseodymium dioxide PrO2

    Hasenöhrl, S., Hjelt, K., Lipsanen, H., Sopanen, M. & Tuomi, T., 1992, Espoo, s. 14-16, (Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology; nro TKK-F-C139).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  7. Julkaistu

    Photoreflectance study of photovoltage effects in GaAs diode structures

    Airaksinen, V-M. & Lipsanen, H. K., 1992, julkaisussa : Applied Physics Letters. 60, 17, s. 2110-2112 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    Photoreflectance study of photovoltage effects in GaAs diode structures

    Airaksinen, V. M. & Lipsanen, H. K., 1992, Espoo, s. 10-13, (Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology; nro TKK-F-C139).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  9. 1991
  10. Julkaistu

    X-ray diffraction analysis of superlattices grown on misoriented substrates

    Ravila, P., Airaksinen, V. M., Lipsanen, H., Tuomi, T. & Claxton, P. A., 1 joulukuuta 1991, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 114, 4, s. 569-572 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  11. 1990
  12. Julkaistu

    Photoreflectance studies InGaAs/InP superlattices

    Airaksinen, V. M., Lipsanen, H. K., Ravila, P., Tuomi, T. & Claxton, P. A., 1 elokuuta 1990, Modulation Spectroscopy. Pollak, F. H., Cardona, M. & Aspnes, D. E. (toim.). s. 238-243 6 Sivumäärä (SPIE Proceedings; painos 1286).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  13. Julkaistu

    Study of GaAs/AlGaAs and InGaAs/InP quantum well structures using low field transverse electroreflectance

    Lipsanen, H. K., Airaksinen, V. M., Tuomi, T. & Claxton, P. A., 1 elokuuta 1990, Modulation Spectroscopy. Pollak, F. H., Cardona, M. & Aspnes, D. E. (toim.). s. 300-305 6 Sivumäärä (SPIE Proceedings ; painos 1286).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  14. 1989
  15. Julkaistu

    Synchrotron section topographic study of defects in InP substrates and quaternary laser structures

    Tuomi, T., Lipsanen, H., Ranta-aho, T., Partanen, J., Lahtinen, J. A., Monberg, E. & Logan, R. A., elokuuta 1989, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 96, 4, s. 881-887 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  16. Julkaistu

    OBSERVATION OF IMPURITY STATES IN HIGH-RESISTIVITY GALLIUM-ARSENIDE BY THE PHOTOREFLECTION METHOD

    Pikhtin, A. N., Airaksinen, V. M., Lipsanen, H. & Tuomi, T., heinäkuuta 1989, julkaisussa : Soviet Physics - Semiconductors. 23, 7, s. 797-798 2 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  17. Julkaistu

    Photoreflectance spectra of a GaAs/GaAs and of an InGaAs/InP multiple quantum well structures grown with molecular beam epitaxy

    Tuomi, T., Airaksinen, V. M. & Lipsanen, H., 1989, julkaisussa : Acta Polytechnica Scandinavica, Electrical Engineering Series. 64, s. 173-177 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  18. Julkaistu

    Room-temperature observation of impurity states in bulk GaAs by photoreflectance

    Pikhtin, A. N., Airaksinen, V. M., Lipsanen, H. & Tuomi, T., 1989, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 65, 6, s. 2556-2557 2 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Edellinen 1...7 8 9 10 11 Seuraava

ID: 53661