Floris Reurings

Tutkimustuotoksia vuodessa

Jos olet muokannut tietoja Puressa, ne näkyvät pian tässä.

Henkilökohtainen profiili

Koulutus / tieteellinen pätevyys

Tekn. toht., teknillinen fysiikka, Aalto-yliopisto, Perustieteiden korkeakoulu

Myöntöpäivä: 30 marraskuuta 2010

Dipl.ins., teknillinen fysiikka

Myöntöpäivä: 25 tammikuuta 2005

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Floris Reurings on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.

14 Samanlaiset profiilit

Tutkimustuotos

10 Article
1 Conference contribution
1 Doctoral Thesis

On the interplay of point defects and Cd in non-polar ZnCdO films

Zubiaga, A., Reurings, F., Tuomisto, F., Plazaola, F., Garcia, J. A., Kuznetsov, A. Y., Egger, W., Zuniga-Perez, J. & Munoz-Sanjose, V., 2013, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 113, 2, s. 1-7 7 Sivumäärä, 023512.

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

Open access

Tiedosto

5 Sitaatiot (Scopus)

115 Lataukset (Pure)

Defect redistribution in post-irradiation rapid-thermal-annealed InN

Reurings, F., Rauch, C., Tuomisto, F., Jones, R. E., Yu, K. M., Walukiewicz, W. & Schaff, W. J., lokakuuta 2010, julkaisussa : Physical Review B. 82, 15, s. 1-4 4 Sivumäärä, 153202.

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

Open access

Tiedosto

11 Sitaatiot (Scopus)

112 Lataukset (Pure)

Influence of Ga/N ratio on morphology, Ga vacancies and electrical transport in (0001) GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at high temperature

Koblmüller, G., Reurings, F., Tuomisto, F. & Speck, J. S., 2010, julkaisussa : Applied Physics Letters. 97, 19, s. 1-3 3 Sivumäärä, 191915.

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

Open access

Tiedosto

36 Sitaatiot (Scopus)

149 Lataukset (Pure)

In vacancies in InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Reurings, F., Tuomisto, F., Gallinat, C. S., Koblmüller, G. & Speck, J. S., 2010, julkaisussa : Applied Physics Letters. 97, 25, s. 1-3 3 Sivumäärä, 251907.

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

Open access

Tiedosto

21 Sitaatiot (Scopus)

222 Lataukset (Pure)

In-vacancies in Si-doped InN

Rauch, C., Reurings, F., Tuomisto, F., Veal, T., McConville, C. F., Lu, H., Schaff, W. J., Gallinat, C. S., Koblmüller, G., Speck, J. S., Egger, W., Löwe, B., Ravelli, L. & Sojak, S., toukokuuta 2010, julkaisussa : PHYSICA STATUS SOLIDI A: APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 207, 5, s. 1083-1086 4 Sivumäärä

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu

12 Sitaatiot (Scopus)