Tutkimustuotoksia vuodessa
Tutkimustuotoksia vuodessa
Henkilökohtainen profiili
Koulutus / tieteellinen pätevyys
Doctoral degree, Engineering and Technology, Aalto University
Myöntöpäivä: 30 marrask. 2010
Master's degree, Engineering and Technology, Helsinki University of Technology
Myöntöpäivä: 25 tammik. 2005
Sormenjälki
Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Floris Reurings on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.
- 1 Samanlaiset profiilit
-
On the interplay of point defects and Cd in non-polar ZnCdO films
Zubiaga, A., Reurings, F., Tuomisto, F., Plazaola, F., Garcia, J. A., Kuznetsov, A. Y., Egger, W., Zuniga-Perez, J. & Munoz-Sanjose, V., 2013, julkaisussa: Journal of Applied Physics. 113, 2, s. 1-7 7 Sivumäärä, 023512.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto6 Sitaatiot (Scopus)138 Lataukset (Pure) -
Defect redistribution in post-irradiation rapid-thermal-annealed InN
Reurings, F., Rauch, C., Tuomisto, F., Jones, R. E., Yu, K. M., Walukiewicz, W. & Schaff, W. J., lokak. 2010, julkaisussa: Physical Review B. 82, 15, s. 1-4 4 Sivumäärä, 153202.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto12 Sitaatiot (Scopus)205 Lataukset (Pure) -
Influence of Ga/N ratio on morphology, Ga vacancies and electrical transport in (0001) GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at high temperature
Koblmüller, G., Reurings, F., Tuomisto, F. & Speck, J. S., 2010, julkaisussa: Applied Physics Letters. 97, 19, s. 1-3 3 Sivumäärä, 191915.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto44 Sitaatiot (Scopus)242 Lataukset (Pure) -
In vacancies in InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Reurings, F., Tuomisto, F., Gallinat, C. S., Koblmüller, G. & Speck, J. S., 2010, julkaisussa: Applied Physics Letters. 97, 25, s. 1-3 3 Sivumäärä, 251907.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto23 Sitaatiot (Scopus)316 Lataukset (Pure) -
In-vacancies in Si-doped InN
Rauch, C., Reurings, F., Tuomisto, F., Veal, T., McConville, C. F., Lu, H., Schaff, W. J., Gallinat, C. S., Koblmüller, G., Speck, J. S., Egger, W., Löwe, B., Ravelli, L. & Sojak, S., toukok. 2010, julkaisussa: PHYSICA STATUS SOLIDI A: APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 207, 5, s. 1083-1086 4 SivumääräTutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
13 Sitaatiot (Scopus)
-
Nordic Semiconductor Meeting 23 (NSM 2009), Reykjavik, 14.-17.6.2009, Iceland
Reurings, F. (Kontribuuttori)
2009Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
E-MRS Fall Meeting 2009, Varsova, 13.-18.9.2009, Poland
Reurings, F. (Kontribuuttori)
2009Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
3rd international workshop on physics and technology of thin films(IWTF 3), Espoo, 24-28.8.2009, Finland
Reurings, F. (Kontribuuttori)
2009Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Foreign Organisation
Reurings, F. (Visiting researcher)
2009Aktiviteetti: Vierailu ulkomaiseen yliopistoon
-
Fysiikan päivät 2009, Espoo, 12.-14.3.2009, Finland
Reurings, F. (Kontribuuttori)
2009Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä