Tutkimustuotoksia vuodessa
Tutkimustuotoksia vuodessa
Henkilökohtainen profiili
Koulutus / tieteellinen pätevyys
Doctoral degree, Engineering and Technology, Aalto University
Myöntöpäivä: 30 marraskuuta 2010
Master's degree, Engineering and Technology, Helsinki University of Technology
Myöntöpäivä: 25 tammikuuta 2005
Sormenjälki
Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Floris Reurings on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.
- 1 Samanlaiset profiilit
-
On the interplay of point defects and Cd in non-polar ZnCdO films
Zubiaga, A., Reurings, F., Tuomisto, F., Plazaola, F., Garcia, J. A., Kuznetsov, A. Y., Egger, W., Zuniga-Perez, J. & Munoz-Sanjose, V., 2013, julkaisussa: Journal of Applied Physics. 113, 2, s. 1-7 7 Sivumäärä, 023512.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto5 Sitaatiot (Scopus)120 Lataukset (Pure) -
Defect redistribution in post-irradiation rapid-thermal-annealed InN
Reurings, F., Rauch, C., Tuomisto, F., Jones, R. E., Yu, K. M., Walukiewicz, W. & Schaff, W. J., lokakuuta 2010, julkaisussa: Physical Review B. 82, 15, s. 1-4 4 Sivumäärä, 153202.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto11 Sitaatiot (Scopus)127 Lataukset (Pure) -
Influence of Ga/N ratio on morphology, Ga vacancies and electrical transport in (0001) GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at high temperature
Koblmüller, G., Reurings, F., Tuomisto, F. & Speck, J. S., 2010, julkaisussa: Applied Physics Letters. 97, 19, s. 1-3 3 Sivumäärä, 191915.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto39 Sitaatiot (Scopus)161 Lataukset (Pure) -
In vacancies in InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Reurings, F., Tuomisto, F., Gallinat, C. S., Koblmüller, G. & Speck, J. S., 2010, julkaisussa: Applied Physics Letters. 97, 25, s. 1-3 3 Sivumäärä, 251907.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto22 Sitaatiot (Scopus)275 Lataukset (Pure) -
In-vacancies in Si-doped InN
Rauch, C., Reurings, F., Tuomisto, F., Veal, T., McConville, C. F., Lu, H., Schaff, W. J., Gallinat, C. S., Koblmüller, G., Speck, J. S., Egger, W., Löwe, B., Ravelli, L. & Sojak, S., toukokuuta 2010, julkaisussa: PHYSICA STATUS SOLIDI A: APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 207, 5, s. 1083-1086 4 SivumääräTutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
13 Sitaatiot (Scopus)
-
XVth International Conference on Positron Annihilation (ICPA-15), Kolkata (Saha Institute of Nuclear Physics),18.-23.1.2009, India
Floris Reurings (Kontribuuttori)
2009Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
-
3rd international workshop on physics and technology of thin films(IWTF 3), Espoo, 24-28.8.2009, Finland
Floris Reurings (Kontribuuttori)
2009Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
International School in Physics Enrico Fermi Course CLXXIV Physics with many positrons Varenna, 7.7.-17.7.2009, Italy
Floris Reurings (Kontribuuttori)
2009Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
E-MRS Fall Meeting 2009, Varsova, 13.-18.9.2009, Poland
Floris Reurings (Kontribuuttori)
2009Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä