Ei valokuvaa Floris Reurings

Floris Reurings

20052013

Tutkimustuotoksia vuodessa

Jos olet muokannut tietoja Puressa, ne näkyvät pian tässä.

Henkilökohtainen profiili

Koulutus / tieteellinen pätevyys

Tekn. toht., teknillinen fysiikka

Dipl.ins., teknillinen fysiikka

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Floris Reurings on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • 14 Samanlaiset profiilit

Tutkimustuotos

  • 10 Article
  • 1 Conference contribution
  • 1 Doctoral Thesis

On the interplay of point defects and Cd in non-polar ZnCdO films

Zubiaga, A., Reurings, F., Tuomisto, F., Plazaola, F., Garcia, J. A., Kuznetsov, A. Y., Egger, W., Zuniga-Perez, J. & Munoz-Sanjose, V., 2013, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 113, 2, s. 1-7 7 Sivumäärä, 023512.

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
  • 5 Sitaatiot (Scopus)
    113 Lataukset (Pure)

    Defect redistribution in post-irradiation rapid-thermal-annealed InN

    Reurings, F., Rauch, C., Tuomisto, F., Jones, R. E., Yu, K. M., Walukiewicz, W. & Schaff, W. J., lokakuuta 2010, julkaisussa : Physical Review B. 82, 15, s. 1-4 4 Sivumäärä, 153202.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    Open access
    Tiedosto
  • 11 Sitaatiot (Scopus)
    107 Lataukset (Pure)

    Influence of Ga/N ratio on morphology, Ga vacancies and electrical transport in (0001) GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at high temperature

    Koblmüller, G., Reurings, F., Tuomisto, F. & Speck, J. S., 2010, julkaisussa : Applied Physics Letters. 97, 19, s. 1-3 3 Sivumäärä, 191915.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    Open access
    Tiedosto
  • 34 Sitaatiot (Scopus)
    144 Lataukset (Pure)

    In vacancies in InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

    Reurings, F., Tuomisto, F., Gallinat, C. S., Koblmüller, G. & Speck, J. S., 2010, julkaisussa : Applied Physics Letters. 97, 25, s. 1-3 3 Sivumäärä, 251907.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    Open access
    Tiedosto
  • 21 Sitaatiot (Scopus)
    208 Lataukset (Pure)

    In-vacancies in Si-doped InN

    Rauch, C., Reurings, F., Tuomisto, F., Veal, T., McConville, C. F., Lu, H., Schaff, W. J., Gallinat, C. S., Koblmüller, G., Speck, J. S., Egger, W., Löwe, B., Ravelli, L. & Sojak, S., toukokuuta 2010, julkaisussa : PHYSICA STATUS SOLIDI A: APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 207, 5, s. 1083-1086 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    12 Sitaatiot (Scopus)

    Aktiviteetit

    • 10 Konferenssiesitelmä
    • 1 Vierailu ulkomaille