Filip Tuomisto

Professori

Tutkimustuotokset

  1. 2019
  2. Julkaistu

    Unusual properties of the RY3 center in GaN

    Reshchikov, M. A., Sayeed, R. M., Ozgur, U., Demchenko, D. O., McNamara, J. D., Prozheeva, Tuomisto, F., Helava, H., Usikov, A. & Makarov, Y., 18 heinäkuuta 2019, julkaisussa : Physical Review B. 100, 4, s. 1-19 19 Sivumäärä, 045204.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  3. Julkaistu

    Direct observation of mono-vacancy and self-interstitial recovery in tungsten

    Heikinheimo, J., Mizohata, K., Räisänen, J., Ahlgren, T., Jalkanen, P., Lahtinen, A., Catarino, N., Alves, E. & Tuomisto, F., 1 helmikuuta 2019, julkaisussa : APL Materials. 7, 2, s. 1-7 021103.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  4. Julkaistu

    Ga vacancies and electrical compensation in β-Ga 2 O 3 thin films studied with positron annihilation spectroscopy

    Tuomisto, F., Karjalainen, A., Prozheeva, V., Makkonen, I., Wagner, G. & Baldini, M., 1 tammikuuta 2019, Oxide-Based Materials and Devices X. Rogers, D. J., Teherani, F. H. & Look, D. C. (toim.). s. 1-8 1091910. (Proceedings of SPIE; painos 10919).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  5. 2018
  6. Julkaistu

    Influence of Fermi level position on vacancy-assisted diffusion of aluminum in zinc oxide

    Sky, T. N., Johansen, K. M., Venkatachalapathy, V., Svensson, B. G., Vines, L. & Tuomisto, F., 28 joulukuuta 2018, julkaisussa : Physical Review B. 98, 24, s. 1-24 245204.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  7. Julkaistu

    Preface

    Freitas, J. A., Tuomisto, F. & Pimputkar, S., 1 marraskuuta 2018, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 501, 1 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  8. Julkaistu

    Effects of alloy composition and Si-doping on vacancy defect formation in (InxGa1- x)2O3 thin films

    Prozheeva, V., Hölldobler, R., Von Wenckstern, H., Grundmann, M. & Tuomisto, F., 28 maaliskuuta 2018, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 123, 12, s. 1-6 125705.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  9. Julkaistu

    15 years of the European Nuclear Education Network (ENEN Association)

    Cizelj, L., Starflinger, J., Decobert, V., Bazargan-Sabet, B., Tuomisto, F., Coeck, M., Anzieu, P., Roberts, J., Wheldon, T. K. & Porras, P. D., 1 tammikuuta 2018, 2018 26th International Conference on Nuclear Engineering: Volume 8: Computational Fluid Dynamics (CFD); Nuclear Education and Public Acceptance. American Society of Mechanical Engineers, Vuosikerta 8. 6 Sivumäärä ICONE26-82611

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  10. Julkaistu
  11. Julkaistu

    The ENEN+ Project: Attracting, Retaining and Developing New Nuclear Talents Beyond Academic Curricula

    Cizelj, L., Pesznyak, C., Bazargan-Sabet, B., Abdelouas, A., Tuomisto, F., Coeck, M. & Porras, P. D., 2018, PROCEEDINGS OF THE 26TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NUCLEAR ENGINEERING: Volume 8: Computational Fluid Dynamics (CFD); Nuclear Education and Public Acceptance London, England, July 22–26, 2018. American Society of Mechanical Engineers, 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  12. 2017
  13. Julkaistu

    Evaluation of the concentration of point defects in GaN

    Reshchikov, M. A., Usikov, A., Helava, H., Makarov, Y. N., Prozheeva, V., Makkonen, I., Tuomisto, F., Leach, J. H. & Udwary, K., 1 joulukuuta 2017, julkaisussa : Scientific Reports. 7, 1, s. 1-11 9297.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  14. Julkaistu

    Amphoteric Be in GaN: Experimental Evidence for Switching between Substitutional and Interstitial Lattice Sites

    Tuomisto, F., Prozheeva, V., Makkonen, I., Myers, T. H., Bockowski, M. & Teisseyre, H., 9 marraskuuta 2017, julkaisussa : Physical Review Letters. 119, 19, s. 1-5 196404.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  15. Julkaistu

    Positron annihilation analysis of the atomic scale changes in oxidized Zircaloy-4 samples

    Heikinheimo, J., Ortner, S., Makkonen, I., Kujala, J., Blackmur, M. & Tuomisto, F., 1 marraskuuta 2017, julkaisussa : Journal of Nuclear Materials. 495, s. 172-180 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  16. Julkaistu

    Formation of Zn- and O- vacancy clusters in ZnO through deuterium annealing

    Johansen, K. M., Tuomisto, F., Makkonen, I. & Vines, L., lokakuuta 2017, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 69, s. 23-27 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  17. Julkaistu

    Subsurface damage in polishing-annealing processed ZnO substrates

    Prozheeva, V., Johansen, K. M., Neuvonen, P. T., Zubiaga, A., Vines, L., Kuznetzov, A. Y. & Tuomisto, F., lokakuuta 2017, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 69, s. 19-22

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  18. Julkaistu
  19. Julkaistu

    Hole density and acceptor-type defects in MBE-grown GaSb1-x Bix

    Segercrantz, N., Slotte, J., Makkonen, I., Tuomisto, F., Sandall, I. C., Ashwin, M. J. & Veal, T. D., 3 heinäkuuta 2017, julkaisussa : Journal of Physics D: Applied Physics. 50, 29, s. 1-6 6 Sivumäärä, 295102.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  20. Julkaistu

    Defects in Single Crystalline Ammonothermal Gallium Nitride

    Suihkonen, S., Pimputkar, S., Sintonen, S. & Tuomisto, F., kesäkuuta 2017, julkaisussa : Advanced Electronic Materials. 3, 6, s. 1-18 1600496.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  21. Julkaistu

    Instability of the Sb vacancy in GaSb

    Segercrantz, N., Slotte, J., Tuomisto, F., Mizohata, K. & Raisanen, J., 3 toukokuuta 2017, julkaisussa : Physical Review B. 95, 18, s. 1-5 5 Sivumäärä, 184103.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  22. Julkaistu

    Effects of grain size and deformation temperature on hydrogen-enhanced vacancy formation in Ni alloys

    Lawrence, S. K., Yagodzinskyy, Y., Hänninen, H., Korhonen, E., Tuomisto, F., Harris, Z. D. & Somerday, B. P., 15 huhtikuuta 2017, julkaisussa : Acta Materialia. 128, s. 218-226 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  23. Julkaistu

    Radiation-induced alloy rearrangement in InxGa1− xN

    Prozheeva, V., Makkonen, I., Cuscó, R., Artús, L., Dadgar, A., Plazaola, F. & Tuomisto, F., 27 maaliskuuta 2017, julkaisussa : Applied Physics Letters. 110, 13, s. 1-4 132104.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  24. Julkaistu

    Charge compensation mechanisms in U1-xGdxO2 and Th1-xGdxO2-x/2 studied by X-ray Absorption Spectroscopy

    Bes, R., Pakarinen, J., Baena, A., Conradson, S., Verwerft, M. & Tuomisto, F., 2017, julkaisussa : Journal of Nuclear Materials. 489, s. 9–21

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  25. 2016
  26. Julkaistu

    Electrical compensation via vacancy-donor complexes in arsenic-implanted and laser-annealed germanium

    Kalliovaara, T., Slotte, J., Makkonen, I., Kujala, J., Tuomisto, F., Milazzo, R., Impellizzeri, G., Fortunato, G. & Napolitani, E., 31 lokakuuta 2016, julkaisussa : Applied Physics Letters. 109, 18, s. 1-4 182107.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  27. Julkaistu

    Si nanocrystals and nanocrystal interfaces studied by positron annihilation

    Kujala, J., Slotte, J., Tuomisto, F., Hiller, D. & Zacharias, M., 14 lokakuuta 2016, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 120, 14, s. 1-6 145302.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  28. Julkaistu
  29. Julkaistu

    Vacancy-donor complexes in highly n-type Ge doped with As, P and Sb

    Kujala, J., Südkamp, T., Slotte, J., Makkonen, I., Tuomisto, F. & Bracht, H., 28 kesäkuuta 2016, julkaisussa : Journal of physics: Condensed matter. 28, 33, s. 1-7 335801.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  30. Julkaistu

    Preface to Special Topic: Defects in Semiconductors

    Tuomisto, F. & Makkonen, I., 14 toukokuuta 2016, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 119, 18, 1 Sivumäärä, 181301.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  31. Julkaistu

    Understanding and control of bipolar self-doping in copper nitride

    Fioretti, A. N., Schwartz, C. P., Vinson, J., Nordlund, D., Prendergast, D., Tamboli, A. C., Caskey, C. M., Tuomisto, F., Linez, F., Christensen, S. T. & 3 muuta, Toberer, E. S., Lany, S. & Zakutayev, A., 14 toukokuuta 2016, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 119, 18, s. 1-10 10 Sivumäärä, 181508.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  32. Julkaistu

    Identification of vacancy defect complexes in transparent semiconducting oxides ZnO, In2O3 and SnO2

    Makkonen, I., Korhonen, E., Prozheeva, V. & Tuomisto, F., 8 maaliskuuta 2016, julkaisussa : Journal of physics: Condensed matter. 28, 22, s. 1-7 224002.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  33. Julkaistu

    Modeling positronium beyond the single particle approximation

    Zubiaga, A., Ervasti, M. M., Makkonen, I., Harju, A., Tuomisto, F. & Puska, M. J., 29 helmikuuta 2016, julkaisussa : Journal of Physics B: Atomic Molecular and Optical Physics. 49, 6, s. 1-13 064005.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  34. Julkaistu

    The influence of nitrogen and antimony on the optical quality of InNAs(Sb) alloys

    Latkowska, M., Baranowski, M., Linhart, W. M., Janiaka, F., Misiewicz, J., Segercrantz, N., Tuomisto, F., Zhuang, Q., Krier, A. & Kudrawiec, R., 11 helmikuuta 2016, julkaisussa : Journal of Physics D: Applied Physics. 49, 11, s. 1-7 115105.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  35. Julkaistu

    Monte Carlo analysis of germanium detector performance in slow positron beam experiments

    Heikinheimo, J., Tuominen, R. & Tuomisto, F., 26 tammikuuta 2016, julkaisussa : Journal of Physics: Conference Series. 674, 1, s. 1-7 012023.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  36. Julkaistu

    GaN films and GaN/AlGaN quantum wells grown by plasma assisted molecular beam epitaxy using a high density radical source

    Cordier, Y., Damilano, B., Aing, P., Chaix, C., Linez, F., Tuomisto, F., Vennegues, P., Frayssinet, E., Lefebvre, D., Portail, M. & 1 muuta, Nemoz, M., 1 tammikuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 433, s. 165-171 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  37. Julkaistu

    Development of a Triple-Coincidence Positron Lifetime Spectrometer for Nuclear Materials Research

    Heikinheimo, J., Bes, R. & Tuomisto, F., 2016. 4 Sivumäärä.

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaKonferenssiesitys

  38. Julkaistu
  39. 2015
  40. Julkaistu

    Increased p-type conductivity in GaNxSb1-x, experimental and theoretical aspects

    Segercrantz, N., Makkonen, I., Slotte, J., Kujala, J., Veal, T. D., Ashwin, M. J. & Tuomisto, F., 28 elokuuta 2015, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 118, 8, s. 1-9 9 Sivumäärä, 085708.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  41. Julkaistu

    Advanced techniques for characterization of ion beam modified materials

    Zhang, Y., Debelle, A., Boulle, A., Kluth, P. & Tuomisto, F., helmikuuta 2015, julkaisussa : CURRENT OPINION IN SOLID STATE AND MATERIALS SCIENCE. 19, 1, s. 19-28 10 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  42. Julkaistu

    Cation vacancies and electrical compensation in Sb-doped thin-film SnO2 and ZnO

    Korhonen, E., Prozheeva, V., Tuomisto, F., Bierwagen, O., Speck, J. S., White, M. E., Galazka, Z., Liu, H., Izyumskaya, N., Özgür, U. & 1 muuta, Morkoç, H., 19 tammikuuta 2015, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 30, 2, s. 1-7 7 Sivumäärä, 024011.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  43. Julkaistu

    Annealing effect on donor-acceptor interface and its impact on the performance of organic photovoltaic devices based on PSiF-DBT copolymer and C60

    Marchiori, C. F. N., Yamamoto, N. A. D., Matos, C. F., Kujala, J., Macedo, A. G., Tuomisto, F., Zarbin, A. J. G., Koehler, M. & Roman, L. S., 2015, julkaisussa : Applied Physics Letters. 106, 13, s. 1-5 5 Sivumäärä, 133301.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  44. Julkaistu

    Electrical compensation by Ga vacancies in Ga2O3  thin films

    Korhonen, E., Tuomisto, F., Gogova, D., Wagner, G., Baldini, M., Galazka, Z., Schewski, R. & Albrecht, M., 2015, julkaisussa : Applied Physics Letters. 106, 24, s. 1-3 3 Sivumäärä, 242103.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  45. Julkaistu

    Mitä on hyvä yliopisto-opettajuus?

    Sistonen, E., Kyösola, S., Kiesi, T., Tuomisto, F. & Riihiaho, S., 2015, Peda-forum päivät 2015 - Voimaa yhteistyöllä, Hanken ja Maanpuolustuskorkeakoulu, Helsinki, 20.-21.8.2015. Hanken ja Maanpuolustuskorkeakoulu

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa

  46. Julkaistu

    Mitä on hyvä yliopisto-opettajuus?

    Sistonen, E., Riihiaho, S., Kiesi, T., Kyösola, S., Nikoskinen, K., Ojapelto, A. & Tuomisto, F., 2015, julkaisussa : YLIOPISTOPEDAGOGIIKKA. 22, 1, s. 52-54

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  47. Julkaistu

    Mitä on hyvä yliopisto-opettajuus 360°?

    Kiesi, T., Kyösola, S., Nikoskinen, K., Ojapelto, A., Riihiaho, S., Sistonen, E. & Tuomisto, F., 2015, Hyvä yliopisto-opettajuus - kysymyksiä ja vastauksia yliopistopedagogisen koulutusvuoden varrelta.Aalto-yliopiston julkaisusarja CROSSOVER 11/2015. Syrjäkari, M. & Koponen, J. (toim.). Espoo: Aalto-yliopisto, Oppimispalvelut, s. 22-75 (Aalto-yliopiston julkaisusarja CROSSOVER; painos 2015, nro 11).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  48. Julkaistu
  49. Julkaistu

    Role of excessive vacancies in transgranular stress corrosion cracking of pure copper

    Aaltonen, P., Yagodzinskyy, Y., Saukkonen, T., Kilpeläinen, S., Tuomisto, F. & Hänninen, H., 2015, julkaisussa : Corrosion Reviews. 33, 6, s. 487-500 14 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  50. 2014
  51. Julkaistu

    Compensating vacancy defects in Sn- and Mg-doped In2O3

    Korhonen, E., Tuomisto, F., Bierwagen, O., Speck, J. S. & Galazka, Z., joulukuuta 2014, julkaisussa : Physical Review B. 90, 24, s. 1-7 7 Sivumäärä, 245307.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  52. Julkaistu

    Charge transition level of GePb1 centers at interfaces of SiO2/GexSi1-x/SiO2 heterostructures investigated by positron annihilation spectroscopy

    Madia, O., Segercrantz, N., Afanasjev, V., Stesmans, A., Souriau, L., Slotte, J. & Tuomisto, F., marraskuuta 2014, julkaisussa : PHYSICA STATUS SOLIDI B: BASIC SOLID STATE PHYSICS. 251, 11, s. 2211-2215 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  53. Julkaistu

    Vacancy-hydrogen complexes in ammonothermal GaN

    Tuomisto, F., Kuittinen, T., Zajac, M., Doradzinski, R. & Wasik, D., 1 lokakuuta 2014, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 403, s. 114-118 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  54. Julkaistu

    Growth, characterization and study of ferromagnetism of bismuth telluride doped with manganese

    Fedorchenko, I. V., Marenkin, S. F., Avdonin, A., Domukhovski, V., Dobrowolski, W., Heikinheimo, J., Korhonen, E. & Tuomisto, F., 1 syyskuuta 2014, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 401, s. 636-639 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  55. Julkaistu

    Effect of growth temperature on the epitaxial growth of ZnO on GaN by ALD

    Särkijärvi, S., Sintonen, S., Tuomisto, F., Bosund, M., Suihkonen, S. & Lipsanen, H., 15 heinäkuuta 2014, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 398, s. 18-22 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  56. Julkaistu

    Optical Identification of Oxygen Vacancy Formation at SrTiO3 - (Ba,Sr)TiO3 Heterostructures

    Rutkowski, M., McNicholas, K., Zeng, Z., Tuomisto, F. & Brillson, L., 30 toukokuuta 2014, julkaisussa : Journal of Physics D: Applied Physics. 47, 25, s. 1-8 8 Sivumäärä, 255303.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Edellinen 1 2 3 4 5 Seuraava

ID: 49531