Aktiviteetteja vuodessa
Aktiviteetit
- 42 tulosta
Hakutulokset
-
Characterization of electrically active defefts in CZ-Si by photoluminescence imaging
Savin, H. (Kontribuuttori)
12 syysk. 2024Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Talk title: Highly efficient IR detection unit based on high-purity black germanium technology
Savin, H. (Kutsuttu puhuja)
12 kesäk. 2024Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Effect Of The Morphology Of Black Silicon Passivated By Alumina On The Performance Of Interdigitated Back Contact Solar Cells
Khelifati, N. (Kontribuuttori), Aydın, O. (Puhuja), Arıkan, B. (Kontribuuttori), Fortas, G. (Kontribuuttori), Harkat, L. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Liu, X. (Kontribuuttori), Kezzoula, F. (Kontribuuttori) & Turan, R. (Kontribuuttori)
5 heinäk. 2024Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Hyperdoping germanium with titanium via femtosecond laser processing
Liu, X. (Puhuja), Gnatyuk, D. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Puhuja)
17 syysk. 2024Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Wide-spectral absorption of femtosecond laser textured germanium
Liu, X. (Puhuja) & Halmela, J. (Kontribuuttori)
14 toukok. 2024 → 16 toukok. 2024Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Effect of rapid thermal annealing on optical and structural properties of fs-laser surface processed Ge
Gnatyuk, D. (Puhuja), Radfar, B. (Kontribuuttori), Savin, H. (Kontribuuttori) & Liu, X. (Kontribuuttori)
5 syysk. 2024Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Dead-Layer-Free Semiconductor Detectors via Highly Charged Dielectrics
Setälä, O. (Puhuja), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Ott, J. (Kontribuuttori), Heinonen, J. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
30 lokak. 2024Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Optics & Photonics Days
Radfar, B. (Puhuja), Ghazy, A. (Kontribuuttori), Liu, X. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Karppinen, M. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
30 toukok. 2024Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Surface Passivation and Charge Transfer at TiO2/Si Interface
Liu, X. (Puhuja), Khan, R. (Kontribuuttori), Pasanen, H. (Kontribuuttori), Ali-Löytty, H. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Valden, M. (Kontribuuttori), Tkachenko, N. V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
8 syysk. 2023Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Electroless excitation of semiconductors through semiconductor-liquid interfaces
Oksanen, J. (Puhuja), Li, S. (Kontribuuttori), Chen, K. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
12 huhtik. 2023Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Improved QE in CMOS image sensors with nano-black antireflection layer
Prest, M. J. (Puhuja), Setälä, O. (Kontribuuttori), Stefanov, K. D. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Savin, H. (Kontribuuttori) & Jordan, D. (Kontribuuttori)
21 toukok. 2023 → 25 toukok. 2023Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Excellent Responsivity and Low Dark Current Obtained with Metal-Assisted Chemical Etched Si Photodiode
Savin, H. (Kutsuttu puhuja), Chen, K. (Kontribuuttori), Setälä, O. (Kontribuuttori), Liu, X. (Kontribuuttori), Radfar, B. (Kontribuuttori) & Vähänissi, V. (Kontribuuttori)
31 lokak. 2023Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Controlling SiO2 thin film charge and interface defect density on germanium
Liu, H. (Puhuja), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Leiviskä, O. (Kontribuuttori), Isometsä, J. (Kontribuuttori), Fung, J. (Kontribuuttori), Yli-Koski, M. (Kontribuuttori), Miettinen, M. (Kontribuuttori), Laukkanen, P. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
8 syysk. 2023Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Nanostructured Silicon Hyperdoped with Se by Ion Implantation and Flash Lamp Annealing
Radfar, B. (Puhuja), Liu, X. (Kontribuuttori), Prucnal, S. (Kontribuuttori), Shaikh, M. S. (Kontribuuttori), Kentsch, U. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Berencén, Y. (Kontribuuttori), Zhou, S. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
19 syysk. 2023Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Effective carrier lifetime in ultrashort pulse laser hyperdoped silicon: dopant concentration dependence and practical upper limits
Schäfer, S. (Puhuja), Liu, X. (Kontribuuttori), Mc Kearney, P. (Kontribuuttori), Paulus, S. (Kontribuuttori), Radfar, B. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Savin, H. (Kontribuuttori) & Kontermann, S. (Kontribuuttori)
18 syysk. 2023Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Compatibility of Al-neal in processing of Si devices with Al2O3 layer
Setälä, O. (Puhuja), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Ott, J. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
11 syysk. 2022 → 16 syysk. 2022Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Carrier recombination in black silicon fabricated by high repetition rate fs-laser
Liu, X. (Puhuja), Radfar, B. (Kontribuuttori), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
30 toukok. 2022 → 3 kesäk. 2022Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Record-high UV response in implanted junctions through passivation of surface defects and minimisation of boron implantation damage
Chen, K. (Puhuja), Setälä, O. (Kontribuuttori), Radfar, B. (Kontribuuttori), Kroth, U. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
14 syysk. 2022Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Controlling charge polarity and defect density at Ge/Al2O3 interface using SiNx interlayer
Liu, H. (Puhuja), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Fung, T. H. (Kontribuuttori), Isometsä, J. (Kontribuuttori), Leiviskä, O. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
13 syysk. 2022Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Temperature dependency of responsivity and dark current of nearly ideal black silicon photodiodes
Heinonen, J. (Kontribuuttori), Haarahiltunen, A. (Kontribuuttori), Serue, M. (Kontribuuttori), Kriukova, D. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Savin, H. (Kontribuuttori), Werner, L. (Kontribuuttori) & Juntunen, M. (Puhuja)
5 maalisk. 2021Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Nanostructuring process to minimize reflective losses in optoelectronic devices
Repo, P. (Puhuja), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Isometsä, J. (Kontribuuttori), Chen, K. (Kontribuuttori), Garin, M. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
19 kesäk. 2021Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
High-sensitivity NIR photodiodes using black silicon
Heinonen, J. (Kontribuuttori), Haarahiltunen, A. (Kontribuuttori), Serué, M. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Savin, H. (Kontribuuttori), Werner, L. (Kontribuuttori) & Juntunen, M. (Puhuja)
4 helmik. 2020Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Proof of concept: ARC-free black interdigitated back contact module with wide acceptance angle
Ortega, P. (Kontribuuttori), Pasanen, T. (Puhuja), Garin, M. (Kontribuuttori), von Gastrow, G. (Kontribuuttori), Savisalo, T. (Kontribuuttori), Tolvanen, A. (Kontribuuttori), Vahlman, H. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Carrio, D. (Kontribuuttori), Alcubilla, R. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
6 helmik. 2020Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
AC-coupled pixel detectors with aluminium oxide field insulator on p-type MCz silicon
Ott, J. (Puhuja)
19 helmik. 2020Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Nanostructured germanium for near-infrared sensors with >99 % absorption up to 1600-nm wavelength
Pasanen, T. (Puhuja), Isometsä, J. (Kontribuuttori), Garin, M. (Kontribuuttori), Chen, K. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Soldano, C. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
4 helmik. 2020Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Dissociation and formation kinetics of iron-boron pairs in silicon after phosphorus implantation gettering
Khelifati, N. (Kontribuuttori), Laine, H. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Savin, H. (Kontribuuttori), Bouamama, F. Z. (Kontribuuttori) & Bouhafs, D. (Kontribuuttori)
22 syysk. 2019 → 27 syysk. 2019Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Passivation of detector-grade Fz-Si with atomic layer deposited aluminium oxide
Pasanen, T. (Puhuja), Ott, J. (Kontribuuttori), Repo, P. (Kontribuuttori), Seppänen, H. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
23 syysk. 2019Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Doping in silicon affects the blistering of ALD-grown aluminium oxide
Ott, J. (Puhuja), Garin, M. (Kontribuuttori), Rosta, K. (Kontribuuttori), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
26 syysk. 2019Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Elimination of light-induced degradation by black silicon
Pasanen, T. P. (Puhuja), Modanese, C. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Laine, H. (Kontribuuttori), Wolny, F. (Kontribuuttori), Oehlke, A. (Kontribuuttori), Kusterer, C. (Kontribuuttori), Heikkinen, I. T. S. (Kontribuuttori), Wagner, M. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
25 syysk. 2018Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Impact of Copper on Light-Induced Degradation in Czochralski-Silicon PERC Solar Cells
Modanese, C. (Puhuja), Wagner, M. (Kontribuuttori), Wolny, F. (Kontribuuttori), Oehlke, A. (Kontribuuttori), Laine, H. (Kontribuuttori), Inglese, A. (Kontribuuttori), Vahlman, H. (Kontribuuttori), Yli-Koski, M. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
18 maalisk. 2018 → 21 maalisk. 2018Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Patternability of quasi-mono silicon beyond the photovoltaic industry
Liu, Z. (Puhuja), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
2018Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Effects of Laser Modified Surface Morphologies and Post-Texturing Cleanings on Si Wafer
Radfar, B. (Puhuja), Es, F. (Kontribuuttori) & Turan, R. (Kontribuuttori)
5 heinäk. 2018Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Investigation of PEALD SiO2 thin films by rf-GDOES
Zhu, Z. (Kontribuuttori), Modanese, C. (Puhuja), Sippola, P. (Kontribuuttori), Di Sabatino, M. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
25 toukok. 2017Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
High resolution imaging of light-activated copper impurities in multicrystalline silicon wafers by photoluminescence
Modanese, C. (Kontribuuttori), Inglese, A. (Kontribuuttori), Focareta, A. (Kontribuuttori), Schindler, F. (Kontribuuttori), Schön, J. (Kontribuuttori), Schubert, M. C. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Puhuja)
24 toukok. 2017Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Increasing yield of cast-silicon ingots via Tabula Rasa anneal
Laine, H. (Puhuja), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Liu, Z. (Kontribuuttori), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Haarahiltunen, A. (Kontribuuttori), Yli-Koski, M. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
4 huhtik. 2017Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Passivation of black silicon phosphorus emitters with atomic layer deposited SiO2/Al2O3 stacks
Pasanen, T. (Puhuja), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
3 huhtik. 2017Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Efficient Surface Passivation of Black Silicon Using Spatial ALD
Heikkinen, I. T. S. (Kontribuuttori), Repo, P. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Malinen, V. (Kontribuuttori), Salmi, E. (Puhuja) & Savin, H. (Kontribuuttori)
17 heinäk. 2017Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Modeling the size distribution of iron precipitates in phosphorus-implanted emitters
Laine, H. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Yli-Koski, M. (Kontribuuttori), Liu, Z. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
2014 → …Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
The 14th Intrnational Conference on Atomic Layer Deposition, Kyoto, June 15-18, 2014, Japan
Savin, H. (Kontribuuttori)
2014Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Detection of iron contamination in internally gettered p-type silicon wafers by lifetime measurements
Haarahiltunen, A. (Puhuja), Savin, H. (Kontribuuttori), Yli-Koski, M. (Kontribuuttori) & Sinkkonen, J. (Kontribuuttori)
2004Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Enhancement of internal gettering efficiency of iron by low temperature nucleation
Savin, H. (Puhuja)
2004Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Characterization of denuded zones in internally gettered silicon wafers by electron beam induced current measurements
Haarahiltunen, A. (Puhuja), Savin, H. (Kontribuuttori), Yli-Koski, M. (Kontribuuttori) & Sinkkonen, J. (Kontribuuttori)
2003Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä