Antimatter and Nuclear Engineering

Yksikkö: Tutkimusryhmä

Tutkimustuotokset

  1. 2004
  2. Julkaistu

    Optical and Structural Characteristics of Virtually Unstrained Bulk-Like GaN

    Gogova, D., Kasic, A., Larsson, H., Pecz, B., Yakimova, R., Magnusson, B., Monemar, B., Tuomisto, F., Saarinen, K., Miskys, C., Stutzmann, M., Bundesmann, C. & Schubert, M., 9 huhtikuuta 2004, julkaisussa : Japanese Journal of Applied Physics. 43, 4A, s. 1264-1268 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    Characterization of mass-transport grown GaN by hydride vapour phase epitaxy

    Paskova, T., Paskov, P. P., Goldgas, S., Saarinen, K., Carlström, C. F., Wahab, Q. & Monemar, B., 2004, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 273, s. 118-128

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  4. Julkaistu

    Formation of thermal vacancies in highly As and P doped Si

    Ranki, V. & Saarinen, K., 2004, julkaisussa : Physical Review Letters. 93

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    Formation of vacancy-impurity complexes by annealing elementary vacancies introduced by electron irradiation of As-, P-, and Sb-doped Si

    Ranki, V., Pelli, A. & Saarinen, K., 2004, julkaisussa : Physical Review B. 69, 11, s. 115205

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  6. Julkaistu

    HV design of a pulsed lifetime beam with a grounded sample

    Pelli, A., Laakso, A., Rytsölä, K. & Saarinen, K., 2004, julkaisussa : Materials Science Forum. 445

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  7. Julkaistu

    Influence of layer thickness on the formation of In vacancies in InN grown by molecular beam epitaxy

    Oila, J., Kemppinen, A., Laakso, A., Saarinen, K., Egger, W., Liszkay, L., Sperr, P., Lu, H. & Schaff, W. J., 2004, julkaisussa : Applied Physics Letters. 84, 9, s. 1486-1488

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    Linearity tests of a Digital Positron Lifetime Spectrometer

    Aavikko, R., Rytsölä, K. & Nissilä, J., 2004, julkaisussa : Materials Science Forum. 445-446, s. 462-464

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  9. Julkaistu

    Lipid bilayers driven to a wrong lane in molecular dynamics simulations by truncation of long-range electrostatic interactions

    Patra, M., Karttunen, M., Hyvönen, M. T., Falck, E. & Vattulainen, I., 2004, julkaisussa : Journal of Physical Chemistry B. 108, s. 4485-4494

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  10. Julkaistu

    Multi-scale modeling of hydrogen isotope diffusion in graphite

    Warrier, M., Schneider, R., Salonen, E. & Nordlund, K., 2004, julkaisussa : Contributions to Plasma Physics. 44, 13, s. 307-310

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  11. Julkaistu

    Orientation, and Dynamics of DPH Probes in DPPC Bilayer

    Repakova, J., Capkova, P., Holopainen, J. M. & Vattulainen, I., 2004, julkaisussa : Journal of Physical Chemistry B. 108, s. 13438-13448

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  12. Julkaistu

    Overview of the atomistic modeling of the chemical erosion of carbon

    Salonen, E., 2004, julkaisussa : Physica Scripta. T111, s. 133-137

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  13. Julkaistu

    Scattering effects in a positron lifetime beam line

    Laakso, A., Hakala, M., Pelli, A., Rytsölä, K. & Saarinen, K., 2004, julkaisussa : Materials Science Forum. 445/446, s. 489-491

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  14. Julkaistu

    Strain-free bulk-like GaN grown by hydride-vapor-phase-epitaxy on two-step epitaxial lateral overgrown GaN template

    Gogova, D., Kasic, A., Larsson, H., Monemar, B., Tuomisto, F., Saarinen, K., Dobos, L., Pécz, B., Gibart, P. & Beaumont, B., 2004, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 96, 1, s. 799-806 8 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  15. Julkaistu

    Structural Effects of Small Molecules on Phospholipid Bilayers Investigated by Molecular Simulations

    Lee, B. W., Faller, R., Sum, A. K., Vattulainen, I., Patra, M. & Karttunen, M., 2004, julkaisussa : Fluid Phase Equilibria. 225, s. 63-68

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  16. Julkaistu

    Vacancy defects in epitaxial InN: Identification and electrical properties

    Laakso, A., Oila, J., Kemppinen, A., Saarinen, K., Egger, W., Liszkay, L., Sperr, P., Lu, H. & Schaff, W. J., 2004, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 269, s. 41-49

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  17. Julkaistu

    Vacancy defects in O-doped GaN grown by molecular beam epitaxy: The role of growth polarity and stoichiometry

    Rummukainen, M., Oila, J., Laakso, A., Saarinen, K., Ptak, A. J. & Myers, T. H., 2004, julkaisussa : Applied Physics Letters. 84

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  18. Julkaistu

    Vacancy related defect distributions in B-11, N-14 and Al-27 implanted 4H-SiC: The role of channeling

    Janson, M. S., Slotte, J., Kuznetsov, A. Y., Saarinen, K. & Hallen, A., 2004, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 95, 1, s. 57-63

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  19. Julkaistu

    Ydinkoekiellon valvontaa suomalaismenetelmin

    Aarnio, P., Ala-Heikkilä, J. & Hakulinen, T., 2004, julkaisussa : ATS Ydintekniikka. 33, 2, s. 15-18

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  20. 2003
  21. Julkaistu

    Evidence of the Zn vacancy acting as the dominant acceptor in n-type ZnO

    Tuomisto, F., Ranki, V., Saarinen, K. & Look, D. C., marraskuuta 2003, julkaisussa : Physical Review Letters. 91, 20, s. 1-4 4 Sivumäärä, 205502.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  22. Julkaistu

    Polarity dependent properties of GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on GaN bulk crystals

    Tuomisto, F., Suski, T., Teisseyre, H., Krysko, M., Leszczynski, M., Lucznik, B., Grzegory, I., Porowski, S., Wasik, D., Witowski, A., Gebicki, W., Hageman, P. & Saarinen, K., marraskuuta 2003, julkaisussa : PHYSICA STATUS SOLIDI B: BASIC SOLID STATE PHYSICS. 240, 2, s. 289-292 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  23. Julkaistu

    Atomic Structure of Defects in GaN:Mg Grown with Ga Polarity

    Liliental-Weber, Z., Tomaszewicz, T., Zakharov, D., Jasinski, J., "O'Keefe", M. A., Hautakangas, S., Laakso, A. & Saarinen, K., 2003, Materials Research Society Symposium Proceedings vol. 798 2003. s. 711-722

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  24. Julkaistu

    Contributions from gallium vacancies and carbon-related defects to the yellow luminescence in GaN

    Armitage, R., Hong, W., Qing, Y., Gebauer, J., Weber, E. R., Hautakangas, S. & Saarinen, K., 2003, julkaisussa : Applied Physics Letters. 82

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  25. Julkaistu

    Defect characterization of ZnBeSe mixed crystals by means of positron annihilation and photoluminescence techniques

    Plazaola, F., Flyktman, J., Saarinen, K., Dobrzynski, L., Firszt, F., Legowski, S., Meczynska, H., Paszkowicz, W. & Reniewicz, H., 2003, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 94

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  26. Julkaistu

    Dynamics of dendrimer-based polymer networks

    Gurtovenko, A., Markelov, D. A., Gotlib, Y. Y. & Blumen, A., 2003, julkaisussa : Journal of Chemical Physics. 119, s. 7579-7590

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  27. Julkaistu

    Electrical deactivation by vacancy-impurity complexes in highly As-doped Si

    Ranki, V., Saarinen, K., Fage-Pedersen, J., Lundsgaard Hansen, J. & Nylandsted Larsen, A., 2003, julkaisussa : Physical Review B. 67

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  28. Julkaistu

    Electrical, optical, structural, and analytical properties of very pure GaN

    Look, D. C., Sizelove, J. R., Jasinski, J., Liliental-Weber, Z., Saarinen, K., Park, S. S. & Han, J. H., 2003, Materials Research Society Fall Meeting, Boston, December 2-6, 2002. C. Wetzel, E. T. Y. & J. S. Speck, A. R. (toim.). s. L10.1

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  29. Julkaistu

    Formation of vacancy-impurity complexes in heavily Zn-doped InP

    Slotte, J., Saarinen, K., Salmi, A., Simula, S., Aavikko, R. & Hautojärvi, P., 2003, julkaisussa : Physical Review B. 67

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  30. Julkaistu

    Formation of vacancy-impurity complexes in highly As and P doped Si

    Ranki, V. & Saarinen, K., 2003, julkaisussa : Physica B. 340-342, s. 765-768

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  31. Julkaistu

    Ga vacancies and grain boundaries in GaN

    Oila, J., Saarinen, K., Wickenden, A. E., Koleske, D. D., Henry, R. L. & Twigg, M. E., 2003, julkaisussa : Applied Physics Letters. 82

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  32. Julkaistu

    Ga vacancies as dominant intrinsic acceptors in GaN grown by hydride vapor phase epitaxy

    Oila, J., Kivioja, J., Ranki, V., Saarinen, K., Look, D. C., Molnar, R. J., Park, S. S., Lee, S. K. & Han, J. Y., 2003, julkaisussa : Applied Physics Letters. 82

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  33. Julkaistu

    High-Energy Proton Irradiation and Induced Radioactivity Analysis for Some Construction Materials for the CERN LHC

    Aarnio, P., Ala-Heikkilä, J., Hakulinen, T. & Huhtinen, M., 2003, Kailua-Kona, (Sixth International Conference on Methods and Applications of Radioanalytical Chemistry, MARC VI, Kailua-Kona, Hawai'i, USA, 7-11.4.2003).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  34. Julkaistu

    Identification of vacancy complexes in Si by positron annihilation

    Saarinen, K. & Ranki, V., 2003, julkaisussa : Journal of physics: Condensed matter. 15, s. 2791

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  35. Julkaistu

    Observation of defect complexes containing Ga vacancies in GaAsN

    Toivonen, J., Hakkarainen, T., Sopanen, M., Lipsanen, H., Oila, J. & Saarinen, K., 2003, julkaisussa : Applied Physics Letters. 82, 1, s. 40-42 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  36. Julkaistu

    Observation of interface defects in thermally oxidized SiC using positron annihilation

    Dekker, J., Saarinen, K., Olafsson, H. & Sveinbjörnsson, E., 2003, julkaisussa : Applied Physics Letters. 82

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  37. Julkaistu

    Observation of vacancies in Ga(1-x)Mn(x)As with positron annihilation spectroscopy

    Tuomisto, F., Slotte, J., Saarinen, K. & Sadowski, J., 2003, julkaisussa : Acta Physica Polonica A. 103, 6, s. 601-606 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  38. Julkaistu

    Positron annihilation studies of defects at the SiO2/SiC interface

    Dekker, J., Saarinen, K., Olafsson, H. & Sveinbjörnsson, E., 2003, julkaisussa : Materials Science Forum. 433-436

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  39. Julkaistu

    Vacancy defects as compensating centers in Mg-doped GaN

    Hautakangas, S., Oila, J., Alatalo, M., Saarinen, K., Liszkay, L., Seghier, D. & Gislason, H. P., 2003, julkaisussa : Physical Review Letters. 90

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  40. Julkaistu

    Vacancy-phosphorus complexes in strained Si{1-x}Ge{x}: Structure and stability

    Sihto, S-L., Slotte, J., Lento, J., Saarinen, K., Monakhov, E. V., Kuznetsov, A. Y. & Svensson, B. G., 2003, julkaisussa : Physical Review B. 68

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  41. Julkaistu

    Vacancy-type defect distributions of (11)B-, (14)N and (27)Al-implanted 4H-SiC studied by positron annihilation spectroscopy

    Janson, M. S., Slotte, J., Kuznetsov, A. Y., Saarinen, K. & Hallén, A., 2003, julkaisussa : Materials Science Forum. 433-436, s. 641-644

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  42. 2002
  43. Julkaistu

    Cation and anion vacancies in proton irradiated n-GaInP

    Dekker, J., Oila, J., Saarinen, K., Tukiainen, A., Li, W. & Pessa, M., 2002, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 92, s. 5942-5949

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  44. Julkaistu

    Characterization of superlattices using positron annihilation

    Dekker, J., Aavikko, R. & Saarinen, K., 2002, julkaisussa : Applied Surface Science. 194

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  45. Julkaistu

    Digital measurement of positron lifetime

    Rytsölä, K., Nissilä, J., Laakso, A., Aavikko, R. & Saarinen, K., 2002, julkaisussa : Applied Surface Science. 194

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  46. Julkaistu

    Eduskunta teki sen viimein - mutta miten tähän tultiin

    Ala-Heikkilä, J. & Nevander, O., 2002, julkaisussa : ATS Ydintekniikka. 31, 2, s. 21-23

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  47. Julkaistu

    Formation of Vacancy-Impurity Complexes by Kinetic Processes in Highly As-Doped Si

    Ranki, V., Nissilä, J. & Saarinen, K., 2002, julkaisussa : Physical Review Letters. 88

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  48. Julkaistu

    Optical transitions of silicon vacancy in 6H-SiC studied by positron annihilation spectroscopy

    Arpiainen, S., Saarinen, K., Hautojärvi, P., Henry, L., Barthe, M-F. & Corbel, C., 2002, julkaisussa : Physical Review B. 66

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  49. Julkaistu

    Positron lifetime beam for defect studies in thin epitaxial semiconductor structures

    Laakso, A., Saarinen, K. & Hautojärvi, P., 2002, julkaisussa : Physica B. 308-310, s. 1157-1160

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  50. Julkaistu

    Structural, electrical and optical properties of defects in Si-doped GaN grown by molecular beam epitaxy on HVPE GaN

    Laukkanen, P., Lehkonen, S., Uusimaa, P., Pessa, M., Oila, J., Hautakangas, S., Saarinen, K., Likonen, J. & Keränen, J., 2002, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 92

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  51. Julkaistu

    Successful implementation of fast preamplifiers in a positron lifetime spectrometer

    Nissilä, J., Rytsölä, K., Saarinen, K. & Hautojärvi, P., 2002, julkaisussa : Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 481

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  52. Julkaistu

    Target chamber for a slow positron beam: optimization of count rate and minimization of backscattering effects

    Oila, J., Ranki, V., Kivioja, J., Saarinen, K. & Hautojärvi, P., 2002, julkaisussa : Applied Surface Science. 194

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  53. Julkaistu

    Vacancies as compensating centers in bulk GaN: Doping effects

    Saarinen, K., Ranki, V., Suski, T., Bockowski, M. & Grzegory, I., 2002, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 246, s. 281-286

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

ID: 5148701