Semiconductor Science and Technology

Tutkimustuotokset

  1. 2019
  2. Julkaistu

    Printed single-walled carbon-nanotubes-based counter electrodes for dye-sensitized solar cells with copper-based redox mediators

    Hashmi, S. G., Sonai, G. G., Iftikhar, H., Lund, P. D. & Nogueira, A. F., lokakuuta 2019, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 34, 10, 13 Sivumäärä, 105001.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  3. 2018
  4. Julkaistu

    Microstructure and optical properties of ultra-thin NiO films grown by atomic layer deposition

    Hagen, D. J., Tripathi, T. S., Terasaki, I. & Karppinen, M., 16 lokakuuta 2018, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 33, 11, 115015.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  5. Julkaistu
  6. 2017
  7. Julkaistu

    Titanium dioxide thin films by atomic layer deposition: A review

    Niemelä, J. P., Marin, G. & Karppinen, M., 23 elokuuta 2017, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 32, 9, 093005.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    MOVPE growth of GaN on 6-inch SOI-substrates: Effect of substrate parameters on layer quality and strain

    Lemettinen, J., Kauppinen, C., Rudzinski, M., Haapalinna, A., Tuomi, T. O. & Suihkonen, S., 6 maaliskuuta 2017, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 32, 4, 10 Sivumäärä, 045003.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  9. 2016
  10. Julkaistu

    Highly mismatched GaN1-xSbx alloys: Synthesis, structure and electronic properties

    Yu, K. M., Sarney, W. L., Novikov, S. V., Segercrantz, N., Ting, M., Shaw, M., Svensson, S. P., Martin, R. W., Walukiewicz, W. & Foxon, C. T., 28 kesäkuuta 2016, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 31, 8, s. 1-22 083001.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  11. 2015
  12. Julkaistu

    Temperature dependent 1/f noise characteristics of the Fe/GaN ferromagnetic Schottky barrier diode

    Kumar, A., Subramaniyam, N., Sopanen, M., Kumar, V. & Singh, R., 7 syyskuuta 2015, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 30, 10, 7 Sivumäärä, 105022.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  13. Julkaistu

    Cation vacancies and electrical compensation in Sb-doped thin-film SnO2 and ZnO

    Korhonen, E., Prozheeva, V., Tuomisto, F., Bierwagen, O., Speck, J. S., White, M. E., Galazka, Z., Liu, H., Izyumskaya, N., Özgür, U. & 1 muuta, Morkoç, H., 19 tammikuuta 2015, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 30, 2, s. 1-7 7 Sivumäärä, 024011.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  14. 2014
  15. Julkaistu

    Atomic layer deposition of ZnO: a review

    Tynell, T. & Karppinen, M., 2014, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 29, 4, s. 043001

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  16. 2012
  17. Julkaistu

    Enhancement of near-UV GaN LED light extraction efficiency by GaN/sapphire template patterning

    Ali, M., Riuttanen, L., Kruse, M., Suihkonen, S., Romanov, A. E., Törmä, P. T., Sopanen, M., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M. A. & Bougrov, V. E., 2012, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 27, 8, s. 1-5 5 Sivumäärä, 082002.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  18. 2011
  19. Julkaistu

    Enhanced 1.3 µm luminescence from InGaAs self-assembled quantum dots with a GaAsN strain-compensating layer

    Nagarajan, S., Aierken, A., Jussila, H., Banerjee, K., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2011, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 26, 8, s. 1-4 4 Sivumäärä, 085029.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  20. 2009
  21. Julkaistu

    Vacancy Engineering by He Induced Nanovoids in Crystalline Si

    Kilpeläinen, S., Kuitunen, K., Tuomisto, F., Slotte, J., Bruno, E., Mirabella, S. & Priolo, F., 5 joulukuuta 2009, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 24, 1, s. 1-4 4 Sivumäärä, 015005.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  22. Julkaistu

    The effect of a material growth technique on ion implanted Mn diffusion in GaAs

    Koskelo, O., Räisänen, J., Tuomisto, F. & Sadowski, J., 6 maaliskuuta 2009, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 24, 4, s. 1-5 5 Sivumäärä, 045011.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  23. 2007
  24. Julkaistu

    Femtosecond versus nanosecond laser micro-machining of InP: a nondestructive three-dimensional analysis of strain

    Xu, L., Lowney, D., McNally, P. J., Borowiec, A., Lankinen, A., Tuomi, T. O. & Danilewsky, A. N., 2007, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 22, s. 970-979

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  25. 2006
  26. Julkaistu

    Optical and structural studies of high-quality bulk-like GaN grown by HVPE on a MOVPE AlN buffer layer

    Gogova, D., Siche, D., Fornari, R., Monemar, B., Gibart, P., Dobos, L., Pecz, B., Tuomisto, F., Bayazitov, R. & Zollo, G., 3 huhtikuuta 2006, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 21, 5, s. 702-708 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  27. 2005
  28. Julkaistu

    Gettering in SOI wafers: experimental studies and modeling

    Istratov, A., Väinölä, H., Huber, W. & Weber, E., 2005, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 20, 6, s. 568-575

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  29. 2004
  30. Julkaistu

    Comparison of induced stresses due to electroless versus sputtered copper interconnect technology

    McNally, P. J., Kanatharana, J., Toh, B. H. W., McNeill, D. W., Tuomi, T., Danilewsky, A. H., Knuuttila, L., Riikonen, J. & Toivonen, J., 2004, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 19, s. 1280-1284

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  31. Julkaistu

    The electron effective mass at the bottom og the GaNAs conduction band

    Toivonen, J., Skierbiszewski, C., Gorczyca, I., Lepkowski, J. & Borysiuk, J., 2004, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 19, s. 1189-1195

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  32. 2003
  33. Julkaistu

    Integrated circuit process control monitoring (PCM) data and wafer yield analysed by using synchrotron x-ray topographic measurements

    Karilahti, M., Tuomi, T. & McNally, P. J., 2003, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 18, s. 45-55

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  34. 2002
  35. Julkaistu

    Investigation of strain induced effects in silicon wafers due to proximity rapid thermal processing using micro-Raman spectroscopy and synhrotron x-ray topography

    Lowney, D., Perova, T. S., Nolan, M., McNally, P. J., Moore, R. A., Gamble, H. S., Tuomi, T., Rantamäki, R. & Danilewsky, A. N., 2002, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 17, s. 1081-1089

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  36. 1998
  37. Julkaistu

    An evalution of liquid phase epitaxial InGaAs/InAs heterostructures for infra-red devices using synchrotron x-ray topography

    McNally, P. J., Curley, J., Krier, A., Mao, Y., Richardson, J., Tuomi, T., Taskinen, M., Rantamäki, R., Prieur, E. & Danilewsky, A., 1998, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 13, s. 345-349

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

ID: 387951