MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING

Tutkimustuotokset

  1. 2019
  2. Julkaistu

    Compatibility of 3-D Printed Devices in Cleanroom Environments for Semiconductor Processing

    Pasanen, T. P., von Gastrow, G., Heikkinen, I. T. S., Vähänissi, V., Savin, H. & Pearce, J., 1 tammikuuta 2019, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 89, s. 59-67 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  3. 2017
  4. Julkaistu

    Formation of Zn- and O- vacancy clusters in ZnO through deuterium annealing

    Johansen, K. M., Tuomisto, F., Makkonen, I. & Vines, L., lokakuuta 2017, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 69, s. 23-27 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    Subsurface damage in polishing-annealing processed ZnO substrates

    Prozheeva, V., Johansen, K. M., Neuvonen, P. T., Zubiaga, A., Vines, L., Kuznetzov, A. Y. & Tuomisto, F., lokakuuta 2017, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 69, s. 19-22

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  6. Julkaistu

    Selective photoelectrochemical deposition of polypyrrole onto hydrogenated a-Si for optoelectronic applications

    Dosenovicova, D., Maricheva, J., Neumüller, A., Sergeev, O., Volobujeva, O., Nasibulin, A. G., Kois, J., Öpik, A. & Bereznev, S., 2017, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 68, s. 1-5 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  7. 2012
  8. Julkaistu

    Advances in positron annihilation spectroscopy of Si, Ge and their alloys

    Slotte, J. & Tuomisto, F., joulukuuta 2012, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 15, 6, s. 669-674 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  9. 2006
  10. Julkaistu

    Modeling the silicon-hafnia interface

    Nieminen, R. M., Hakala, M. H. & Foster, A. S., joulukuuta 2006, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 9, 6, s. 928-933 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  11. Julkaistu

    The effect of compressive biaxial stress on vacancy clustering in thin Si-Ge layers

    Ganchenkova, M. G. & Borodin, V. A., 2006, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 9, 4-5, s. 507-513

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  12. 2005
  13. Julkaistu

    The future of high-K on pure germanium and its importance for Ge CMOS

    Meuris, M., Delabie, A., Van Elshocht, S., Kubicek, S., Verheyen, P., De Jaeger, B., Van Steenbergen, J., Winderickx, G., Van Moorhem, E., Puurunen, R. L., Brijs, B., Caymax, M., Conard, T., Richard, O., Vandervorst, W., Zhao, C., De Gendt, S., Schram, T., Chiarella, T., Onsia, B. & 7 muuta, Teerlinck, I., Houssa, M., Mertens, P. W., Raskin, G., Mijlemans, P., Biesemans, S. & Heyns, M. M., helmikuuta 2005, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 8, 1-3, s. 203-207 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  14. 2004
  15. Julkaistu

    Analyses of interfacial reactions at different levels of interconnection

    Laurila, T., Vuorinen, V. & Kivilahti, J. K., 2004, julkaisussa : MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 7, 4-6 SPEC. ISS., s. 307-317 11 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

ID: 334991