Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Tutkimustuotokset

  1. 2019
  2. Julkaistu

    Influence of metal assisted chemical etching time period on mesoporous structure in as-cut upgraded metallurgical grade silicon for solar cell application

    Venkatesan, R., Mayandi, J., Pearce, J. M. & Venkatachalapathy, V., toukokuuta 2019, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 30, 9, s. 8676-8685 10 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  3. 2018
  4. Julkaistu
  5. 2016
  6. Julkaistu

    Effect of Cu doping on TiO2 nanoparticles and its photocatalytic activity under visible light

    Krishnakumar, V., Boobas, S., Jayaprakash, J., Mani, R., Han, B. & Louhi-Kultanen, M., 1 heinäkuuta 2016, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 27, 7, s. 7438-7447 10 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  7. 2013
  8. Julkaistu
  9. 2012
  10. Julkaistu
  11. Julkaistu
  12. 2008
  13. Julkaistu

    Dislocations at the interface between sapphire and GaN

    Lankinen, A., Lang, T., Suihkonen, S., Svensk, O., Säynätjoki, A., Tuomi, T. O., McNally, P. J., Odnoblyudov, M., Bougrov, V., Danilewsky, A. N. & 2 muuta, Bergman, P. & Simon, R., helmikuuta 2008, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 19, 2, s. 143-148 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  14. Julkaistu

    In-situ optical reflectance and synchrotron X-ray topography study of defects in epitaxial dilute GaAsN on GaAs

    Reentila, O., Lankinen, A., Mattila, M., Saynatjoki, A., Tuomi, T. O., Lipsanen, H., "O'Reilly", L. & McNally, P. J., helmikuuta 2008, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 19, 2, s. 137-142 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  15. Julkaistu

    Dislocations in GaAs p-i-n diodes grown by hydride vapour phase epitaxy

    Säynätjoki, A., Lankinen, A., Tuomi, T. O., McNally, P. J., Danilewsky, A., Zhilyaev, Y. & Fedorov, L., 2008, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 19, s. 149-154

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  16. Julkaistu

    Gettering of iron in silicon by boron implantation

    Haarahiltunen, A., Talvitie, H., Savin, H., Anttila, O., Yli-Koski, M., Asghar, M. I. & Sinkkonen, J., 2008, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 19, 1, s. S41-S45

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  17. 2007
  18. Julkaistu

    Characterisation of n-type gamma-CuCl on Si for UV optoelectronic applications

    "O'Reilly", L., Mitra, A., Lucas, F. O., Natarajan, G., McNally, P. J., Daniels, S., Lankinen, A., Lowney, D., Badley, A. L. & Cameron, D. C., 2007, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 18, s. 57-60

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  19. 2005
  20. Julkaistu

    Synchrotron x-ray topography study of defects in indium antimonide p-i-n structures grown by metal organic vapour phase epitaxy

    Riikonen, J., Tuomi, T., Lankinen, A., Sormunen, J., Säynätjoki, A., Knuuttila, L., Lipsanen, H., McNally, P. J., Danilewsky, A., Sipilä, H. & 3 muuta, Vaijärvi, S., Lumb, D. & Owens, A., heinäkuuta 2005, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 16, 7, s. 449-453 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  21. 2003
  22. Julkaistu

    Growth of GaAs on polycrystalline silicon-on-insulator

    Riikonen, J., Säynätjoki, A., Sopanen, M., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., toukokuuta 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, 5, s. 403-405 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  23. Julkaistu

    In(Ga)As quantum dots on Ge substrate

    Knuuttila, L., Kainu, K., Sopanen, M. & Lipsanen, H., toukokuuta 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, 5, s. 349-352 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  24. Julkaistu

    Misfit dislocations in GaAsN/GaAs interface

    Toivonen, J., Tuomi, T., Riikonen, J., Knuuttila, L., Hakkarainen, T., Sopanen, M., Lipsanen, H., McNally, P. J., Chen, W. & Lowney, D., toukokuuta 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, 5, s. 267-270 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  25. Julkaistu

    Optical waveguides on polysilicon-on-insulator

    Säynätjoki, A., Riikonen, J., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., toukokuuta 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, 5, s. 417-420 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  26. Julkaistu

    Photoluminescence study of strain induced GaInNAs/GaAs quantum dots

    Koskenvaara, H., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., toukokuuta 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, 5, s. 357-360 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  27. Julkaistu

    Correlating integrated circuit process induced strain and defects against device yield and process control monitoring data

    Karilahti, M., Tuomi, T., Rantamäki, R., McNally, P. J. & Danilewsky, A. N., 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, s. 445-449

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  28. Julkaistu

    Rapid thermal annealing of Cu/WNx/Si structures

    Lipsanen, A., Kuivalainen, P., Rauhala, E., Franssila, S. & Seppälä, A., 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, s. 315-318

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  29. Julkaistu

    Stress characterization of device layers and the underlying Si1-xGex virtual substrate with high resolution micro-Raman spectroscopy

    Chen, W. M., Dilliway, G. D. M., McNally, P. J., Tuomi, T., Willoughby, A. & Bonar, J., 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, s. 307-312

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  30. Julkaistu

    Tiled wing induced stress distribution in epitaxiallateral ovegrown GaN

    Chen, W. M., McNally, P. J., Jacobs, K., Tuomi, T., Kanatharana, J., Lowney, D., Knuuttila, L., Riikonen, J. & Toivonen, J., 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, s. 283-286

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  31. 2002
  32. Julkaistu

    Precise chemical analysis development for Si and GaAs surface

    Briantseva, N., Lebedeva, Z., Lioubtchenko, D., Nolan, M., Perova, T., Moor, A. & Berwick, K., 2002, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 13, 6, s. 315-318

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  33. 2001
  34. Julkaistu

    Examination of the structural and optical failure of ultra bright LEDs under varying degrees of electrical stress using synchrotron x-ray topography and optical emission spectroscopy

    Lowney, D., McNally, P. J., O´Hare, M., Herbert, P. A. F., Tuomi, T., Rantamäki, R., Karilahti, M. & Danilewsky, A. N., 2001, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 12, s. 249-253

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  35. 1999
  36. Julkaistu

    Monitoring of stress reduction in shallow trench isolation CMOS structures via synchrotron X-ray topography, electrical data and Raman spectroscopy

    McNally, P. J., Curley, J. W., Boldt, M., Reader, A., Tuomi, T., Rantamäki, R., Danilewsky, A. N. & DeWolf, I., 1999, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 10, s. 351-358

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

ID: 307009