Journal of Crystal Growth

Tutkimustuotokset

  1. 2006
  2. Julkaistu

    CFD modelling of single crystal growth of potassium dihydrogen phosphate (KDP) from binary water solution at 30^0 C.

    Liiri, M., Enqvist, Y., Kallas, J. & Aittamaa, J., 2006, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 286, s. 413-423

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    Crystallization of bismuth titanate and bismuth silicate grown as thin films by atomic layer deposition

    Harjuoja, J., Väyrynen, S., Putkonen, M., Niinistö, L. & Rauhala, E., 2006, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 286, 2, s. 376-383

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  4. Julkaistu

    On the optical crystal properties of quantum-well GaIn(N)As/GaAs semiconductors grown by molecular-beam epitaxy

    Pavelescu, E-M., Slotte, J., Dhaka, V. D. S., Saarinen, K., Antohe, S., Cimpoca, G. & Pessa, M., 2006, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 297, s. 33-37

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  5. 2005
  6. Julkaistu

    Synchrotron x-ray topographic study of dislocations and stacking faults in InAs

    Lankinen, A., Tuomi, T., Riikonen, J., Knuuttila, L., Lipsanen, H., Sopanen, M., Danilewsky, A., McNally, J., "O'Reilly", L., Zhilyaev, Y. & 6 muuta, Fedorov, L., Sipilä, H., Vaijärvi, S., Simon, R., Lumb, D. & Owens, A., 1 lokakuuta 2005, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 283, 3-4, s. 320-327 8 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  7. Julkaistu

    Batch cooling crystallization study based on in-line measurement of supersaturation and crystal size distribution

    Qu, H., Pöllänen, K., Louhi-Kultanen, M., Kilpiö, T., Oinas, P. & Kallas, J., 15 helmikuuta 2005, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 275, 1-2

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    Gadolinium oxide thin films by atomic layer deposition

    Niinistö, J., Petrova, N., Putkonen, M., Niinistö, L., Arstila, K. & Sajavaara, T., 2005, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 285, s. 191-200

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  9. Julkaistu

    MOCVD growth of GaN islands by multistep nucleation layer technique

    Lang, T., Odnoblydov, M., Bourgrov, V. & Sopanen, M., 2005, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 277, 1-4, s. 64-71

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  10. 2004
  11. Julkaistu

    Passivation of GaAS surface by ultrathin epitaxial GaN layer

    Riikonen, J., Sormunen, J., Koskenvaara, H., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 10 joulukuuta 2004, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 272, 1-4, s. 621-626 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  12. Julkaistu

    Self assembled In(Ga)As islands on Ge substrate

    Knuuttila, L., Korkala, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 10 joulukuuta 2004, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 272, 1-4, s. 221-226 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  13. Julkaistu

    GaN/GaAs(100) superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy using dimethylhydrazine precursor

    Sormunen, J., Riikonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 1 lokakuuta 2004, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 270, 3-4, s. 346-350 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  14. Julkaistu

    Characterization of mass-transport grown GaN by hydride vapour phase epitaxy

    Paskova, T., Paskov, P. P., Goldgas, S., Saarinen, K., Carlström, C. F., Wahab, Q. & Monemar, B., 2004, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 273, s. 118-128

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  15. Julkaistu

    Vacancy defects in epitaxial InN: Identification and electrical properties

    Laakso, A., Oila, J., Kemppinen, A., Saarinen, K., Egger, W., Liszkay, L., Sperr, P., Lu, H. & Schaff, W. J., 2004, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 269, s. 41-49

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  16. 2003
  17. Julkaistu

    Wavelength extension of GaInAs/GaIn(N)As quantum dot structures grown on GaAs

    Hakkarainen, T., Toivonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., helmikuuta 2003, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 248, s. 339-342 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  18. Julkaistu

    Dislocation analysis for heat-exchanger method grown sapphire with white beam synchrotron X-ray topography

    Chen, W. M., McNally, P. J., "Shvyd'ko", U. V., Tuomi, T., Danilewsky, A. N. & Lerche, M., 2003, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 252, s. 113-119

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  19. Julkaistu

    Solubility and crystallization of xylose isomerase from Streptomyces rubiginosus

    Vuolanto, A., Uotila, S., Leisola, M. & Visuri, K., 2003, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 257, s. 403-411

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  20. 2002
  21. Julkaistu

    GaInNAs quantum well structures for 1.55 µm emission on GaAs by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy

    Hakkarainen, T., Toivonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., helmikuuta 2002, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 234, 4, s. 631-636 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  22. Julkaistu

    Determination of crystal misorientation in epitaxial lateral overgrowth of GaN

    Chen, W. M., McNally, P. J., Jacobs, K., Tuomi, T., Danilewsky, A. N., Zytkiewicz, Z. R., Lowney, D., Kanatharana, J., Knuuttila, L. & Riikonen, J., 2002, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 243, s. 94-102

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  23. Julkaistu

    Secondary nucleation due to crystal-impeller and crystal-vessel collisions by population balances in CFD-modelling

    Liiri, M., Koiranen, T. & Aittamaa, J., 2002, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 237-239, s. 2188-2193

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  24. Julkaistu

    Synchrotron X-ray topography of undoped VCz GaAs crystals

    Tuomi, T., Knuuttila, L., Riikonen, J., McNally, P. J., Chen, W-M., Kanatharana, J., Neubert, M. & Rudolph, P., 2002, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 237-239, s. 350-355

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  25. Julkaistu

    Vacancies as compensating centers in bulk GaN: Doping effects

    Saarinen, K., Ranki, V., Suski, T., Bockowski, M. & Grzegory, I., 2002, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 246, s. 281-286

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  26. 2001
  27. Julkaistu

    Effect of substrate misorientation of deep levels in SSMBE GaInP

    Orsila, S., Tukiainen, A., Dekker, J. & Pessa, M., 2001, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 227

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  28. Julkaistu

    Nature and occurrence of defects in 6H-SiC Lely crystals

    Tuominen, M., Ellison, A., Tuomi, T., Yakimova, R., Milita, S. & Janzén, E., 2001, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 225, s. 23-33

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  29. Julkaistu

    Optical and electrical properties of Be doped GaN bulk crystals

    Suski, T., Litwin-Staszewska, E., Perlin, P., Wisniewski, P., Teisseyre, H., Grzegory, I., Bockowski, M., Porowski, S., Saarinen, K. & Nissilä, J., 2001, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 230

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  30. Julkaistu

    Oxygen incorporation into GaInP grown by SSMBE

    Xiang, N., Tukiainen, A., Dekker, J. & Pessa, M., 2001, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 227

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  31. 2000
  32. Julkaistu

    High nitrogen composition GaAsN by atmospheric pressure metalorganic vapor-phase epitaxy

    Toivonen, J., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., joulukuuta 2000, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 221, 1-4, s. 456-460 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  33. 1999
  34. Julkaistu

    Purification by crystallization from solutions of various viscosities

    Sha, Z. L., Alatalo, H., Louhi-Kultanen, M. & Palosaari, S., 1999, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 198-199, PART I, s. 692-696 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  35. Julkaistu

    The modelling and simulation of dissolution of sucrose crystals

    Koiranen, T., Kilpiö, T., Nurmi, J. & Norden, H. V., 1999, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 198/199, s. 749-753

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  36. 1998
  37. Julkaistu

    Sulphur doping of GaSb grown by atmospheric pressure MOVPE

    Novak, J., Hasenöhrl, S., Kucera, M., Hjelt, K. & Tuomi, T., 1998, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 183, s. 69-74

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  38. 1997
  39. Julkaistu

    Photoluminescence and electrical properties of MOVPE-grown zinc-doped gallium antimonide on gallium arsenide

    Hjelt, K. & Tuomi, T., 1997, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 170, s. 794-798

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  40. Julkaistu

    Time-dependent simulation of Czochralski silicon crystal growth

    Järvinen, J., Nieminen, R. & Tiihonen, T., 1997, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 180, s. 468-476

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  41. Julkaistu

    Visible Light Emission from MBD-grown Si/SiO2 Superlattices

    Novikov, S., Sinkkonen, J., Kilpelä, O. & Gastev, S., 1997, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 175/176, s. 514-518

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  42. 1996
  43. Julkaistu

    Metalorganic vapor phase epitaxial growth of A1GaSb and A1GaAsSb using all-organometallic sources

    Koljonen, T., Sopanen, M., Lipsanen, H. & Tuomi, T., 1 joulukuuta 1996, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 169, 3, s. 417-423 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  44. Julkaistu

    Crystallization kinetics of potassium sulfate in an MSMPR stirred crystallizer

    Sha, Z. L., Hatakka, H., Louhi-Kultanen, M. & Palosaari, S., syyskuuta 1996, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 166, 1-4, s. 1105-1110 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  45. Julkaistu

    Defect analysis in Lely grown 6H SiC

    Tuominen, M., Prieur, E., Yakimova, R., Glass, R., Tuomi, T. & Janzen, E., 1996, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 165, s. 233-244

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  46. Julkaistu

    Self-compensation in halogen doped CdTe grown by molecular beam epitaxy

    Fischer, F., Waag, A., Worschech, L., Ossau, W., Scholl, S., Landwehr, G., Mäkinen, J., Hautojärvi, P. & Corbel, C., 1996, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 161, s. 214-218

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  47. 1995
  48. Julkaistu

    Gas-source molecular beam epitaxy of lattice-matched Ga_(x)In_(1-x)As_(y)P_(1-y) on GaAs over the entire composition range

    Zhang, G., Pessa, M., Hjelt, K., Collan, H. & Tuomi, T., 1995, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 150, s. 607-611

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  49. 1994
  50. Julkaistu

    Growth of GaInAsSb using tertiarybutylarsine as arsenic source

    Sopanen, M., Koljonen, T., Lipsanen, H. & Tuomi, T., 2 joulukuuta 1994, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 145, 1-4, s. 492-497 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  51. Julkaistu

    Photoluminescence of buried InGaAs grown on nanoscale InP islands by MOVPE

    Lipsanen, H., Ahopelto, J., Koljonen, T. & Sopanen, M., 2 joulukuuta 1994, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 145, 1-4, s. 988-989 2 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  52. Julkaistu

    Crystalline imperfections in 4H SiC grown with a seeded Lely method

    Tuominen, M., Yakimova, R., Glass, R. C., Tuomi, T. & Janzen, E., 1994, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 144, s. 267-276

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  53. Julkaistu

    Photoluminescene of buried InGaAs grown on nanoscale InP islands by MOVPE

    Lipsanen, H., Ahopelto, J., Koljonen, T. & Sopanen, M., 1994, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 145, s. 988-989

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  54. 1993
  55. Julkaistu

    Synchrotron Topograpic Study of Defects in Liquid-encapsulated Czochralski-grown semi-insulating Gallium Arsenide Wafers

    Prieur, E., Tuomi, T., Partanen, J., Yli-Juuti, E. & Tilli, M., 1993, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 132, s. 599-605

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  56. 1991
  57. Julkaistu

    X-ray diffraction analysis of superlattices grown on misoriented substrates

    Ravila, P., Airaksinen, V. M., Lipsanen, H., Tuomi, T. & Claxton, P. A., 1 joulukuuta 1991, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 114, 4, s. 569-572 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  58. 1990
  59. Julkaistu

    Purification of organic crystals by high-pressure sweating

    Louhi-Kultanen, M., Kaipainen, E., Niemi, H., Silventoinen, I. & Palosaari, S., tammikuuta 1990, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 99, 1 -4 pt 2, s. 1147-1150 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  60. 1989
  61. Julkaistu

    Synchrotron section topographic study of defects in InP substrates and quaternary laser structures

    Tuomi, T., Lipsanen, H., Ranta-aho, T., Partanen, J., Lahtinen, J. A., Monberg, E. & Logan, R. A., elokuuta 1989, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 96, 4, s. 881-887 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Edellinen 1 2 Seuraava

ID: 294750