Journal of Crystal Growth

Tutkimustuotokset

  1. 2020
  2. Julkaistu

    Metalorganic chemical vapor deposition of aluminum nitride on vertical surfaces

    Österlund, E., Suihkonen, S., Ross, G., Torkkeli, A., Kuisma, H. & Paulasto-Kröckel, M., 1 helmikuuta 2020, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 531, 125345.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  3. 2018
  4. Julkaistu

    Preface

    Freitas, J. A., Tuomisto, F. & Pimputkar, S., 1 marraskuuta 2018, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 501, 1 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    Influence of aqueous Mg concentration on the transformation of amorphous calcium carbonate

    Konrad, F., Purgstaller, B., Gallien, F., Mavromatis, V., Gane, P. & Dietzel, M., 15 syyskuuta 2018, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 498, s. 381-390 10 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  6. Julkaistu

    Identifying threading dislocation types in ammonothermally grown bulk α-GaN by confocal Raman 3-D imaging of volumetric stress distribution

    Holmi, J., Bairamov, B. H., Suihkonen, S. & Lipsanen, H., 25 heinäkuuta 2018, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 499, s. 47-54 8 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  7. Julkaistu

    MOVPE growth of nitrogen- and aluminum-polar AlN on 4H-SiC

    Lemettinen, J., Okumura, H., Kim, I., Rudzinski, M., Grzonka, J., Palacios, T. & Suihkonen, S., 1 huhtikuuta 2018, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 487, s. 50-56 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality

    Lemettinen, J., Okumura, H., Kim, I., Kauppinen, C., Palacios, T. & Suihkonen, S., 1 huhtikuuta 2018, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 487, s. 12-16 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  9. 2016
  10. Julkaistu

    A new system for sodium flux growth of bulk GaN: Part I : System development

    Von Dollen, P., Pimputkar, S., Alreesh, M. A., Albrithen, H., Suihkonen, S., Nakamura, S. & Speck, J. S., 15 joulukuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 456, s. 58-66 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  11. Julkaistu

    Evolution of impurity incorporation during ammonothermal growth of GaN

    Sintonen, S., Wahl, S., Richter, S., Meyer, S., Suihkonen, S., Schulz, T., Irmscher, K., Danilewsky, A. N., Tuomi, T., Stankiewicz, R. & Albrecht, M., 15 joulukuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 456, s. 51-57 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  12. Julkaistu

    Incorporation and effects of impurities in different growth zones within basic ammonothermal GaN

    Sintonen, S., Kivisaari, P., Pimputkar, S., Suihkonen, S., Schulz, T., Speck, J. S. & Nakamura, S., 15 joulukuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 456, s. 43-50 8 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  13. Julkaistu

    InP nanowire p-type doping via Zinc indiffusion

    Haggren, T., Otnes, G., Mourão, R., Dagyte, V., Hultin, O., Lindelöw, F., Borgström, M. & Samuelson, L., 1 lokakuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 451, s. 18-26 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  14. Julkaistu

    Pulsed electric field assisted sol–gel preparation of TiO2nanoparticles

    Mani, R., Han, B. & Louhi-Kultanen, M., 1 lokakuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 451, s. 200-206 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  15. Julkaistu

    TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern

    Mynbaeva, M. G., Kremleva, A. V., Kirilenko, D. A., Sitnikova, A. A., Pechnikov, A. I., Mynbaev, K. D., Nikolaev, V. I., Bougrov, V. E., Lipsanen, H. & Romanov, A. E., 1 heinäkuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 445, s. 30-36 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  16. Julkaistu

    GaN films and GaN/AlGaN quantum wells grown by plasma assisted molecular beam epitaxy using a high density radical source

    Cordier, Y., Damilano, B., Aing, P., Chaix, C., Linez, F., Tuomisto, F., Vennegues, P., Frayssinet, E., Lefebvre, D., Portail, M. & Nemoz, M., 1 tammikuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 433, s. 165-171 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  17. 2015
  18. Julkaistu

    Free electron concentration dependent sub-bandgap optical absorption characterization of bulk GaN crystals

    Pimputkar, S., Suihkonen, S., Imade, M., Mori, Y., Speck, J. S. & Nakamura, S., 15 joulukuuta 2015, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 432, s. 49-53 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  19. Julkaistu

    Temperature-dependent Hall effect measurements on Cz-grown silicon pulled from compensated and recycled feedstock materials

    Zhang, S., Modanese, C., Di Sabatino, M. & Tranell, G., 23 elokuuta 2015, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 429, s. 43-48 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  20. 2014
  21. Julkaistu

    Defect structure of a free standing GaN wafer grown by the ammonothermal method

    Sintonen, S., Suihkonen, S., Jussila, H., Lipsanen, H., Tuomi, T. O., Letts, E., Hoff, S. & Hashimoto, T., 15 marraskuuta 2014, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 406, s. 72-77 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  22. Julkaistu

    Vacancy-hydrogen complexes in ammonothermal GaN

    Tuomisto, F., Kuittinen, T., Zajac, M., Doradzinski, R. & Wasik, D., 1 lokakuuta 2014, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 403, s. 114-118 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  23. Julkaistu

    Growth, characterization and study of ferromagnetism of bismuth telluride doped with manganese

    Fedorchenko, I. V., Marenkin, S. F., Avdonin, A., Domukhovski, V., Dobrowolski, W., Heikinheimo, J., Korhonen, E. & Tuomisto, F., 1 syyskuuta 2014, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 401, s. 636-639 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  24. Julkaistu

    Effect of growth temperature on the epitaxial growth of ZnO on GaN by ALD

    Särkijärvi, S., Sintonen, S., Tuomisto, F., Bosund, M., Suihkonen, S. & Lipsanen, H., 15 heinäkuuta 2014, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 398, s. 18-22 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  25. 2013
  26. Julkaistu

    Fabrication of GaN Structures with Embedded Network of Voids Using Pillar Patterned GaN Templates

    Svensk, O., Ali, M., Riuttanen, L., Törmä, P., Sintonen, S., Suihkonen, S., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 1 toukokuuta 2013, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 370, s. 42-45 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  27. Julkaistu

    Intrinsic growth of layered structure GaS microtubes from banana-leaf like structures

    Datta, A., Sinha, G. & Panda, S. K., 2013, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 368, s. 87-91 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  28. 2012
  29. Julkaistu

    On the formation of vacancy defects in III-nitride semiconductors

    Tuomisto, F., Mäki, J-M., Rauch, C. & Makkonen, I., 1 heinäkuuta 2012, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 350, 1, s. 93-97 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  30. Julkaistu

    Analysis of threading dislocations in void shape controlled GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN

    Ali, M., Romanov, A. E., Suihkonen, S., Svensk, O., Sintonen, S., Sopanen, M., Lipsanen, H., Nevedomsky, V. N., Bert, N. A., Odnoblyudov, M. A. & Bougrov, V. E., 1 huhtikuuta 2012, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 344, 1, s. 59-64 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  31. 2011
  32. Julkaistu

    Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN

    Ali, M., Romanov, A. E., Suihkonen, S., Svensk, O., Törmä, P. T., Sopanen, M., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M. A. & Bougrov, V. E., 15 tammikuuta 2011, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 315, 1, s. 188-191 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  33. 2010
  34. Julkaistu

    Vacancy defects in bulk ammonothermal GaN crystals

    Tuomisto, F., Mäki, J-M. & Zajac, M., 1 syyskuuta 2010, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 312, 18, s. 2620-2623 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  35. Julkaistu

    Influence of substrate temperature on the shape of GaAs nanowires grown by Auassisted MOVPE

    Bouravleuv, A. D., Sibirev, N. V., Statkute, G., Cirlin, G. E., Lipsanen, H. & Duborovskii, V. G., 1 toukokuuta 2010, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 312, 10, s. 1676-1682 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  36. Julkaistu

    Growth and phase stabilization of HfO2 thin films by ALD using novel precursors

    Niinistö, J., Mäntymäki, M., Kukli, K., Costelle, L., Puukilainen, E., Ritala, M. & Leskelä, M., 1 tammikuuta 2010, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 312, 2, s. 245-249 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  37. Julkaistu

    Growth of InFeCoO4 thin films on SrTiO3 and MgO substrates

    Matvejeff, M. & Lippmaa, M., 2010, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 312, 16-17, s. 2386-2392

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  38. 2009
  39. Julkaistu

    Synchrotron topography and X-ray diffraction study of GaInP layers grown on GaAs/Ge

    Lankinen, A., Knuuttila, L., Kostamo, P., Tuomi, T. O., Lipsanen, H., McNally, P. J. & "O'Reilly", L., 1 marraskuuta 2009, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 311, 22, s. 4619-4627 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  40. Julkaistu

    Raman and ATR FTIR spectroscopy in reactive crystallization: Simultaneous monitoring of solute concentration and polymorphic state of the crystals

    Qu, H., Alatalo, H., Hatakka, H., Kohonen, J., Louhi-Kultanen, M., Reinikainen, S. P. & Kallas, J., 15 kesäkuuta 2009, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 311, 13, s. 3466-3475 10 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  41. Julkaistu

    Mechanistic insight into the evaporative crystallization of two polymorphs of nitrofurantoin monohydrate

    Tian, F., Qu, H., Louhi-Kultanen, M. & Rantanen, J., 1 huhtikuuta 2009, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 311, 8, s. 2580-2589 10 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  42. 2008
  43. Julkaistu

    Effect of InGaN underneath layer on MOVPE-grown InGaN/GaN blue LEDs

    Törmä, P., Svensk, O., Ali, M., Suihkonen, S., Sopanen, M., Odnoblyudov, M. & Bougrov, V., 15 marraskuuta 2008, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 310, 23, s. 5162-5165 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  44. Julkaistu

    Enhanced electroluminescence in 405 nm InGaN/GaN LEDs by optimized electron blocking layer

    Svensk, O., Törmä, P., Suihkonen, S., Ali, M., Lipsanen, H., Sopanen, M., Odnoblyudov, M. & Bougrov, V., 15 marraskuuta 2008, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 310, 23, s. 5154-5157 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  45. Julkaistu

    Characterization of bulk AlN crystals with positron annihilation spectroscopy

    Tuomisto, F., Mäki, J-M., Chemekova, T. Y., Makarov, Y. N., Avdeev, O. V. M., Segal, A. S., Ramm, M. G., Davis, S., Huminic, G., Helava, H., Bickermann, M. & Epelbaum, B. M., 15 elokuuta 2008, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 310, 17, s. 3998-4001 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  46. Julkaistu

    MOVPE growth and characterization of InAlGaN films and InGaN/InAlGaN MQW structures

    Suihkonen, S., Svensk, O., Törmä, P., Ali, M., Sopanen, M., Lipsanen, H., Odnoblyudo, M. A. & Bougrov, V., huhtikuuta 2008, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 310, 7-9, s. 1777-1780 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  47. Julkaistu

    InAs island-to-ring transformation by a partial capping layer

    Aierken, A., Hakkarainen, T., Riikonen, J. & Sopanen, M., 2008, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 310, 23, s. 5077-5080

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  48. 2007
  49. Julkaistu

    Growth and surface passivation of near-surface InGaAs quantum wells on GaAs (110)

    Aierken, A., Hakkarainen, T., Tiilikainen, J., Mattila, M., Riikonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 1 marraskuuta 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 309, 1, s. 18-24 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  50. Julkaistu

    Control of the morphology of InGaN/GaN quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition

    Suihkonen, S., Lang, T., Svensk, O., Sormunen, J., Törmä, P., Sopanen, M., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M. & Bougrov, V., 15 maaliskuuta 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 300, 2, s. 324-329 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  51. Julkaistu

    Vacancy defect distribution in heteroepitaxial a-plane GaN grown by hydride vapor phase epitaxy

    Tuomisto, F., Paskova, T., Figge, S., Hommel, D. & Monemar, B., 1 maaliskuuta 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 300, 1, s. 251-253 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  52. Julkaistu

    Catalyst-free fabrication of InP and InP(N) nanowires by metal organic vapor phase epitaxy

    Mattila, M., Hakkarainen, T. & Lipsanen, H., tammikuuta 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 298, s. 640-643 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  53. Julkaistu

    Comparison of H2 and N2 as carrier gas in MOVPE growth of InGaAsN quantum wells

    Reentilä, O., Mattila, M., Knuuttila, L., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., tammikuuta 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 298, s. 536-539 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  54. Julkaistu

    Effect of growth conditions on electrical properties of Mg-doped p-GaN

    Svensk, O., Suihkonen, S., Lang, T., Lipsanen, H., Sopanen, M., Odnoblyudov, M. & Bougrov, V., tammikuuta 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 298, SPEC. ISS, s. 811-814 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  55. Julkaistu

    Reduction of threading dislocation density in Al0.12Ga0.88N epilayers by a multistep technique

    Lang, T., Odnoblyudov, M. A., Bougrov, V. E., Suihkonen, S., Svensk, O., Törmä, P. T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., tammikuuta 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 298, s. 276-280 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  56. Julkaistu

    The effect of InGaN/GaN MQW hydrogen treatment and threading dislocation optimization on GaN LED efficiency

    Suihkonen, S., Svensk, O., Lang, T., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M. A. & Bougrov, V. E., tammikuuta 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 298, s. 740-743 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  57. Julkaistu

    Reduction of threading dislocation density in A1_(0.12)Ga_(0.88)N epilayers by a multistep technique

    Lang, T., Odnoblydov, M., Bougrov, V., Suihkonen, S., Svensk, O., Törmä, P., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 298, s. 276-280

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  58. Julkaistu

    The effect of InGaN/GaN MQW hydrogen treatment and threading dislocation optimization of GaN LED efficiency

    Suihkonen, S., Svensk, O., Lang, T., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M. & Bougrov, V., 2007, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 298, s. 740-743

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  59. 2006
  60. Julkaistu

    Morphology optimization of MOCVD-grown GaN nucleation layers by the multistep technique

    Lang, T., Odnoblyudov, M., Bougrov, V., Suihkonen, S., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 15 kesäkuuta 2006, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 292, 1, s. 26-32 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  61. Julkaistu

    Growth of InN by vertical flow MOVPE

    Suihkonen, S., Sormunen, J., Rangel-Kuoppa, V. T., Koskenvaara, H. & Sopanen, M., 15 toukokuuta 2006, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 291, 1, s. 8-11 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  62. Julkaistu

    Nitrogen content of GaAsN quantum wells by in-situ monitoring during MOVPE growth

    Reentilä, O., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 1 toukokuuta 2006, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 290, 2, s. 345-349 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  63. Julkaistu

    In-line image analysis on the effects of additives in batch cooling crystallization

    Qu, H., Louhi-Kultanen, M. & Kallas, J., 15 maaliskuuta 2006, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 289, 1, s. 286-294 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Edellinen 1 2 Seuraava

ID: 294750