2 D Materials

Tutkimustuotokset

  1. 2019
  2. Julkaistu

    Qualitative analysis of scanning gate microscopy on epitaxial graphene

    Mackenzie, D. M. A., Panchal, V., Corte-Leon, H., Petersen, D. H. & Kazakova, O., 28 helmikuuta 2019, julkaisussa : 2D Materials. 6, 2, 10 Sivumäärä, 025023.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    2D proximate quantum spin liquid state in atomic-thin α-RuCl 3

    Du, L., Huang, Y., Wang, Y., Wang, Q., Yang, R., Tang, J., Liao, M., Shi, D., Shi, Y., Zhou, X. & 2 muutaZhang, Q. & Zhang, G., 1 tammikuuta 2019, julkaisussa : 2D Materials. 6, 1, 8 Sivumäärä, 015014.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  4. 2018
  5. Julkaistu

    1T phase as an efficient hole injection layer to TMDs transistors: A universal approach to achieve p-type contacts

    Hu, X., Wang, Y., Shen, X., Krasheninnikov, A. V., Sun, L. & Chen, Z., 13 kesäkuuta 2018, julkaisussa : 2D Materials. 5, 3, s. 1-10 031012.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  6. 2017
  7. Julkaistu

    Direct transfer of Wafer-scale graphene films

    Kim, M., Shah, A., Li, C., Mustonen, P., Susoma, J., Manoocheri, F., Riikonen, J. & Lipsanen, H., 1 syyskuuta 2017, julkaisussa : 2 D Materials. 4, 3, 10 Sivumäärä, 035004.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    On the origin of magnetic anisotropy in two dimensional CrI3

    Lado, J. L. & Fernández-Rossier, J., 1 syyskuuta 2017, julkaisussa : 2D Materials. 4, 3, 035002.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  9. Julkaistu

    Graphene actively Q-switched lasers

    Li, D., Xue, H., Qi, M., Wang, Y., Aksimsek, S., Chekurov, N., Kim, W., Li, C., Riikonen, J., Ye, F. & 6 muutaDai, Q., Ren, Z., Bai, J., Hasan, T., Lipsanen, H. & Sun, Z., kesäkuuta 2017, julkaisussa : 2 D Materials. 4, 2, 9 Sivumäärä, 025095.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  10. Julkaistu

    Two-dimensional MoS2 under ion irradiation: from controlled defect production to electronic structure engineering

    Ghorbani-Asl, M., Kretschmer, S., Spearot, D. E. & Krasheninnikov, A. V., kesäkuuta 2017, julkaisussa : 2 D Materials. 4, 2, s. 1-9 9 Sivumäärä, 025078.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  11. Julkaistu

    Dominant source of disorder in graphene: charged impurities or ripples?

    Fan, Z., Uppstu, A. & Harju, A., tammikuuta 2017, julkaisussa : 2 D Materials. 4, 2, s. 1-7 7 Sivumäärä, 025004.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  12. 2016
  13. Julkaistu

    Landau levels in 2D materials using Wannier Hamiltonians obtained by first principles

    Lado, J. L. & Fernández-Rossier, J., 13 syyskuuta 2016, julkaisussa : 2D Materials. 3, 3, 035023.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  14. Julkaistu

    Unconventional Yu-Shiba-Rusinov states in hydrogenated graphene

    Lado, J. L. & Fernández-Rossier, J., 30 maaliskuuta 2016, julkaisussa : 2D Materials. 3, 2, 025001.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  15. 2015
  16. Julkaistu

    A physics-based model of gate-tunable metal-graphene contact resistance benchmarked against experimental data

    Chaves, F. A., Jimenez, D., Sagade, A. A., Kim, W., Riikonen, J., Lipsanen, H. & Neumaier, D., 2015, julkaisussa : 2 D Materials. 2, 2, s. 1-8 8 Sivumäärä, 025006.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

ID: 1995617