Tutkimustuotoksia vuodessa
Laitteiden yksityiskohdat
Description
OtaNano – NanoFab on Pohjois-Euroopan suurin mikro- ja nanovalmistukseen tarkoitettu puhdastila, kokonaispinta-alaltaan 2600 m2. Sen linjastot mahdollistavat mikro- ja nanonrakenteiden, kvanttilaitteiden, mikrosysteemien ja mikrofluidististen sirujen, mikro- ja nanosensorien sekä fotoniikan ja optoelektronisten laitteiden valmistuksen. Myös pienen mittakaavan massavalmistus sekä prototyyppien valmistus onnistuvat puhdastiloissa. Laitteet ovat käytettävissä joko itsenäisesti tai palveluna. Turvallisuus- ja peruskoulutukset ovat edellytys laitteiden käytölle. Kursseja järjestetään tarpeen mukaan.
NanoFabin puhdastila ja mittauslaboratoriot mahdollistavat useita eri valmistus- ja mittausprosesseja pääasiassa pii- tai kvartsikiekoille tai -siruille. Puhdastila on jaoteltu alueisiin, joiden puhdastilaluokitus vaihtelee litografia- ja CMOS-alueen ISO4:stä analyysilaboratorion ISO6-luokkaan. Suurin osa puhdastila-alueesta kuuluu luokkaan ISO5. Varsinaisen puhdastilan lisäksi tarjolla on myös erillisiä tiloja esim. mikro-pakkaukselle ja muille ”back-end” prosesseille sekä laboratoriot MOVPE, MBE ja muille ohutkalvoprosesseille.
NanoFabin puhdastila ja mittauslaboratoriot mahdollistavat useita eri valmistus- ja mittausprosesseja pääasiassa pii- tai kvartsikiekoille tai -siruille. Puhdastila on jaoteltu alueisiin, joiden puhdastilaluokitus vaihtelee litografia- ja CMOS-alueen ISO4:stä analyysilaboratorion ISO6-luokkaan. Suurin osa puhdastila-alueesta kuuluu luokkaan ISO5. Varsinaisen puhdastilan lisäksi tarjolla on myös erillisiä tiloja esim. mikro-pakkaukselle ja muille ”back-end” prosesseille sekä laboratoriot MOVPE, MBE ja muille ohutkalvoprosesseille.
×
![]()
Sormenjälki Tutustu tutkimusalueisiin, joilla tätä laitetta on käytetty. Nämä merkinnät luodaan niihin liittyvien tuotosten perusteella. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.
Tutkimustuotos
2D electrons and 2D plasmons in AlGaN/GaN nanostructure under highly non-equilibrium conditions
Loginov, L. A., Shalygin, V. A., Moldavskaya, M. D., Vinnichenko, M. Y., Firsov, D. A., Maremyanin, K. V., Sakharov, A. V., Zavarin, E. E., Arteev, D. S., Lundin, W. V., Kauppinen, C. & Suihkonen, S., 25 maaliskuuta 2020, julkaisussa : Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012022.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Conference article › Scientific › vertaisarvioitu
Open access
Tiedosto
AlOx surface passivation of black silicon by spatial ALD: Stability under light soaking and damp heat exposure
Heikkinen, I. T. S., Koutsourakis, G., Virtanen, S., Yli-Koski, M., Wood, S., Vähänissi, V., Salmi, E., Castro, F. A. & Savin, H., maaliskuuta 2020, julkaisussa : JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A. 38, 2, 022401.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open access
Tiedosto
Atomic layer deposited aluminium oxide mitigates outgassing from fused filament fabrication–based 3-D printed components
Heikkinen, I. T. S., Marin, G., Bihari, N., Ekstrum, C., Mayville, P. J., Fei, Y., Hu, Y. H., Karppinen, M., Savin, H. & Pearce, J. M., helmikuuta 2020, julkaisussa : Surface and Coatings Technology. 386, 24 Sivumäärä, 125459.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Aktiviteetit
Proof of concept: ARC-free black interdigitated back contact module with wide acceptance angle
Pablo Ortega (Kontribuuttori), Toni Pasanen (Puhuja), Moises Garin (Kontribuuttori), Guillaume von Gastrow (Kontribuuttori), Tuukka Savisalo (Kontribuuttori), Antti Tolvanen (Kontribuuttori), Henri Vahlman (Kontribuuttori), Ville Vähänissi (Kontribuuttori), David Carrio (Kontribuuttori), Ramon Alcubilla (Kontribuuttori), Hele Savin (Kontribuuttori)6 helmikuuta 2020
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Passivation of detector-grade Fz-Si with atomic layer deposited aluminium oxide
Toni Pasanen (Puhuja), Jennifer Ott (Kontribuuttori), Päivikki Repo (Kontribuuttori), Heli Seppänen (Kontribuuttori), Ville Vähänissi (Kontribuuttori), Hele Savin (Kontribuuttori)23 syyskuuta 2019
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
Doping in silicon affects the blistering of ALD-grown aluminium oxide
Jennifer Ott (Puhuja), Moises Garin (Kontribuuttori), Kawa Rosta (Kontribuuttori), Toni Pasanen (Kontribuuttori), Ville Vähänissi (Kontribuuttori), Hele Savin (Kontribuuttori)26 syyskuuta 2019
Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä