The next generation of power electronics? Gallium nitride doped with beryllium: How to cut down energy loss in power electronics? The right kind of doping

Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa

Aikajakso9 marraskuuta 2017

Käsittely mediassa

1

Käsittely mediassa

  • NimiThe next generation of power electronics? Gallium nitride doped with beryllium: How to cut down energy loss in power electronics? The right kind of doping
    Medianimi / kanavaNanotechnology News
    MaaYhdysvallat
    Julkaisupäivämäärä09/11/2017
    URL-osoitewww.nanotech-now.com/news.cgi?story_id=54826
    HenkilötFilip Tuomisto