Black germanium boosts infrared photodiode responsivity

Hele Savin

Elektroniikan ja nanotekniikan laitos
Electron Physics Group (EPG)

Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa

Description

Researchers create a germanium infrared photodiode that’s 35% more responsive at 1.55 µm—a common wavelength for telecommunications—than its other germanium and indium gallium arsenide counterparts.

Aikajakso	19 helmik. 2025

Osallistuminen mediassa

Nimi	Black germanium boosts infrared photodiode responsivity
Medianimi / kanava	Laser Focus World
Julkaisupäivämäärä	19/02/2025
Kuvaus	Researchers create a germanium infrared photodiode that’s 35% more responsive at 1.55 µm—a common wavelength for telecommunications—than its other germanium and indium gallium arsenide counterparts.
Tuottaja / kirjoittaja	Sally Cole Johnson
URL-osoite	https://www.laserfocusworld.com/detectors-imaging/article/55269082/black-germanium-boosts-infrared-photodiode-responsivity
Henkilöt	Hele Savin

Näytä kaikki 1

Näytä vähemmän