Dissociation and formation kinetics of iron-boron pairs in silicon after phosphorus implantation gettering

Nabil Khelifati (Kontribuuttori), Hannu Laine (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Savin, H. (Kontribuuttori), Fatima Zohra Bouamama (Kontribuuttori), Djoudi Bouhafs (Kontribuuttori)

Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä

Aikajakso22 syyskuuta 201927 syyskuuta 2019
Tapahtuman otsikkoConference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
Tapahtuman tyyppiConference
Konferenssinumero18
SijaintiZeuthen, Saksa
Tunnustuksen arvoInternational