Atomic-layer-deposited erbium-lasers for high-speed data centers

Piifotoniikka on noussut viimeisen vuosikymmenen aikana yhdeksi tutkituimmista ja kehittyneimmistä osa-alueista fotoniikassa ja optoelektroniikassa. Yksi tärkeimmistä syistä tähän on sen kyky kehittää mikroelektroniikka-, datayhteys- ja tietoliikennetekniikoita integroimalla optisia toimintoja integroituihin piireihin. Piifotoniikkaa hyödyntämällä voidaan saavuttaa lukuisia ominaisuuksia, kuten nopeampi vasteaika, suurempi lähetyskaistanleveys ja pienempi virrankulutus edullisissa, erittäin pienikokoisissa pii-pohjaisissa valokanavarakenteissa. Joitakin keskeisiä komponentteja, kuten vahvistimia ja lasereita, ei kuitenkaan ole vielä pystytty toteuttamaan piifotoniikassa kustannustehokkailla menetelmillä. Tämän projektin tarkoitus on kehittää suorituskykyisiä ja kustannustehkaita integroituja laserlaitteita piifotoniikan sovelluksiin käyttämällä atomikerroskasvatusmenetelmää, ja tuoda liiketoimintaa Suomeen kaupallistamalla tämä teknologia.